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IXYS
MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXKR25N80C
仓库库存编号:
IXKR25N80C-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.5A(Tc) 2.9W(Ta),15.6W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA425EDJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA425EDJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA425EDJ-T1-GE3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.5A(Ta) 1.4W(Ta) 8-SO
型号:
SI4420BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4420BDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4420BDY-T1-GE3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
STD20NF06LAG
仓库库存编号:
497-17143-1-ND
别名:497-17143-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 400V SOT-89
详细描述:表面贴装 N 沟道 300mA(Ta) 1.1W(Ta) SOT-89
型号:
CPC3909CTR
仓库库存编号:
CLA4161-1-ND
别名:CLA4161-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 12V 52A 6PICOSTAR
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2.3W Surface Mount 6-PicoStar
型号:
CSD83325LT
仓库库存编号:
296-38590-1-ND
别名:296-38590-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 3.9A 1W Surface Mount 6-Micro Foot?
型号:
SI8902EDB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8902EDB-T2-E1CT-ND
别名:SI8902EDB-T2-E1CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.8A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7464DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7464DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7464DP-T1-E3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.8A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7464DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7464DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7464DP-T1-GE3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB80NF55-08AG
仓库库存编号:
497-17142-1-ND
别名:497-17142-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) TO-220
型号:
STP80NF55-08AG
仓库库存编号:
497-17149-ND
别名:497-17149
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 500mW Through Hole 8-PDIP
型号:
ALD1102APAL
仓库库存编号:
1014-1004-ND
别名:1014-1004
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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Micro Commercial Co
P-CHANNEL MOSFET, SOP-8 PACKAGE
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.1A(Ta) 1.4W(Ta) 8-SOP
型号:
MCQ9435-TP
仓库库存编号:
MCQ9435-TPMSCT-ND
别名:MCQ9435-TPMSCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 1.56W(Ta),2.8W(Tc)
型号:
SI1424EDH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1424EDH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1424EDH-T1-GE3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 30V SC70-6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.5A (Tc) 7.8W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
型号:
SIA918EDJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA918EDJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA918EDJ-T1-GE3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Tc) 2.8W(Tc) SOT-363
型号:
SI1441EDH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1441EDH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1441EDH-T1-GE3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 17A 8SOIC
详细描述:MOSFET N-CH 30V 17A 8SOIC
型号:
STS7N3LLH6
仓库库存编号:
STS7N3LLH6-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 50W(Tc) D2PAK
型号:
STB25NF06AG
仓库库存编号:
STB25NF06AG-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.7A, 3A 1.13W, 1.2W Surface Mount
型号:
SI4532ADY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4532ADY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4532ADY-T1-GE3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V D2PAK
详细描述:MOSFET N-CH 650V D2PAK
型号:
STB6N65K3
仓库库存编号:
STB6N65K3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 52A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 52A(Tc) 70W(Tc) TO-220
型号:
STP52P3LLH6
仓库库存编号:
STP52P3LLH6-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 168W(Tc) TO-220
型号:
STP140N4F6
仓库库存编号:
STP140N4F6-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 168W(Tc) D2PAK
型号:
STB140N4F6
仓库库存编号:
STB140N4F6-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 80A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 205W(Tc) TO-220
型号:
STP130N8F7
仓库库存编号:
STP130N8F7-ND
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 190W(Tc) TO-220
型号:
STP180N4F6
仓库库存编号:
STP180N4F6-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
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