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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.3A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
型号:
SI6975DQ-T1-GE3
仓库库存编号:
SI6975DQ-T1-GE3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 8-SO
型号:
SI4413CDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4413CDY-T1-GE3TR-ND
别名:SI4413CDY-T1-GE3TR
SI4413CDYT1GE3
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 14A SOP8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RSH140N03TB1
仓库库存编号:
RSH140N03TB1CT-ND
别名:RSH140N03TB1CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 12A SO8FL
详细描述:MOSFET N-CH 30V 12A SO8FL
型号:
NTMFD4C50NT1G
仓库库存编号:
NTMFD4C50NT1G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4808DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4808DY-T1-E3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4808DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4808DY-T1-GE3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 8.8A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4425BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4425BDY-T1-GE3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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Monolithic Power Systems Inc.
MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 3 N-Channel, Common Gate 600V 80mA 1.3W 8-SOIC
型号:
LN60A01ES-LF
仓库库存编号:
LN60A01ES-LF-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.4A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4936ADY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4936ADY-T1-GE3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7384DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7384DP-T1-GE3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 15V 2.3A(Ta) 791mW(Ta) 8-SOIC
型号:
TPS1101DR
仓库库存编号:
TPS1101DR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 15V 2.3A(Ta) 791mW(Ta) 8-SOIC
型号:
TPS1101DRG4
仓库库存编号:
TPS1101DRG4-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 6.3A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4943BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4943BDY-T1-GE3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7840BDP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7840BDP-T1-GE3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8A(Ta) 1.31W(Ta) 8-SO
型号:
SI4348DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4348DY-T1-E3TR-ND
别名:SI4348DY-T1-E3TR
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 25A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 25A(Ta) 60W(Tc) TO-220-3
型号:
TK25E06K3,S1X(S
仓库库存编号:
TK25E06K3S1X(S-ND
别名:TK25E06K3S1X(S
TK25E06K3S1XS
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 6.4A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7872DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7872DP-T1-E3TR-ND
别名:SI7872DP-T1-E3TR
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 6.4A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7872DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7872DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7872DP-T1-GE3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 7.2A(Ta) 1.05W(Ta) 8-TSSOP
型号:
SI6413DQ-T1-GE3
仓库库存编号:
SI6413DQ-T1-GE3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 13.5A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7110DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7110DN-T1-GE3TR-ND
别名:SI7110DN-T1-GE3TR
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4966DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4966DY-T1-GE3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 12V 11A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4866DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4866DY-T1-GE3-ND
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.6A(Ta) 1.47W(Ta) 4-Microfoot
型号:
SI8401DB-T1-E3
仓库库存编号:
SI8401DB-T1-E3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7384DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7384DP-T1-E3TR-ND
别名:SI7384DP-T1-E3TR
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7454DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7454DP-T1-GE3-ND
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