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分立半导体产品
(1898)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 170A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 75V 175A(Tc) PLUS220
型号:
IXUV170N075
仓库库存编号:
IXUV170N075-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 170A PLUS220-S
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 175A(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXUV170N075S
仓库库存编号:
IXUV170N075S-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 300V ISOPLUS247?
型号:
IXFR52N30Q
仓库库存编号:
IXFR52N30Q-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 12A(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH12N100Q
仓库库存编号:
IXTH12N100Q-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 90A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 90A(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR90N20
仓库库存编号:
IXFR90N20-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A I4-PAC-5
详细描述:通孔 N 沟道 500V 21A(Tc) ISOPLUS i4-PAC?
型号:
FDM21-05QC
仓库库存编号:
FDM21-05QC-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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Microsemi Corporation
POWER MOSFET - SIC
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 25A(Tc) 175W(Tc) D3
型号:
APT25SM120S
仓库库存编号:
APT25SM120S-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 47A(Tc) TO-247AD(IXKH)
型号:
IXKH47N60C
仓库库存编号:
IXKH47N60C-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 5A DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 5A(Tc) 模具
型号:
IXTD5N100A
仓库库存编号:
IXTD5N100A-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 38A(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXKR40N60C
仓库库存编号:
IXKR40N60C-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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IXYS
MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC-5
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 75A Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
型号:
FMM75-01F
仓库库存编号:
FMM75-01F-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5
详细描述:通孔 N 沟道 600V 41A(Tc) ISOPLUS i4-PAC?
型号:
IXKF40N60SCD1
仓库库存编号:
IXKF40N60SCD1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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Microsemi Corporation
POWER MOSFET - SIC
详细描述:通孔 N 沟道 700V 65A(Tc) 300W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT70SM70B
仓库库存编号:
APT70SM70B-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5
详细描述:通孔 N 沟道 600V 38A(Tc) ISOPLUS i4-PAC?
型号:
FMD40-06KC
仓库库存编号:
FMD40-06KC-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 600V 68A TO-268
详细描述:表面贴装 P 沟道 600V 68A(Tc) TO-268
型号:
IXKT70N60C5
仓库库存编号:
IXKT70N60C5-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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Microsemi Corporation
POWER MOSFET - SIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 700V 65A(Tc) 220W(Tc) D3Pak
型号:
APT70SM70S
仓库库存编号:
APT70SM70S-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 25A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 25A(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR25N90
仓库库存编号:
IXFR25N90-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 100V ISOPLUS247?
型号:
IXFR75N10Q
仓库库存编号:
IXFR75N10Q-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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IXYS
MOSFET 6N-CH 100V 90A 24-SMD
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 90A Surface Mount 24-SMD
型号:
GMM3X100-01X1-SMD
仓库库存编号:
GMM3X100-01X1-SMD-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 36A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 36A(Tc) 400W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN36N50
仓库库存编号:
IXTN36N50-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
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IXYS
MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC-5
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 75A Surface Mount ISOPLUS i4-PAC?
型号:
FMK75-01F
仓库库存编号:
FMK75-01F-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 55A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 500V 55A(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL55N50
仓库库存编号:
IXFL55N50-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 900V ISOPLUS247?
型号:
IXFR24N90Q
仓库库存编号:
IXFR24N90Q-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 25A ISO264
详细描述:通孔 N 沟道 800V 25A(Tc) 250W(Tc) ISO264?
型号:
IXKG25N80C
仓库库存编号:
IXKG25N80C-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -,
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 250A ISOPLUS227
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 250A 730W SOT-227B
型号:
IXTE250N10
仓库库存编号:
IXTE250N10-ND
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