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• Microsemi Corporation
  POWER MOSFET - SIC
  详细描述：底座安装 N 沟道 700V 49A（Tc） 165W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT70SM70J
  仓库库存编号：APT70SM70J-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 50A SMPD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 50A（Tc） ISOPLUS-SMPD?.B
  
  型号：MKE38P600LB
  仓库库存编号：MKE38P600LB-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 79A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 85A（Tc） 400W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN79N20
  仓库库存编号：IXTN79N20-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
• 无铅
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• Microsemi Corporation
  POWER MOSFET - SIC
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 80A（Tc） 555W（Tc） TO-247
  
  型号：APT80SM120B
  仓库库存编号：APT80SM120B-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
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• Microsemi Corporation
  POWER MOSFET - SIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1200V 80A（Tc） 625W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT80SM120S
  仓库库存编号：APT80SM120S-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 30A（Tc） ISOPLUS264?
  
  型号：IXFB30N120Q2
  仓库库存编号：IXFB30N120Q2-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
• 无铅
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• Microsemi Corporation
  MOSFET P-CH 100V 11A TO-204AA
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 11A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA
  
  型号：JANTX2N6804
  仓库库存编号：1088-1031-ND
  别名：1088-1031
  1088-1031-MIL
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET 2N-CH 600V 38A ECO-PAC2
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 600V 38A Chassis Mount ECO-PAC2
  
  型号：VHM40-06P1
  仓库库存编号：VHM40-06P1-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
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• Microsemi Corporation
  POWER MOSFET - SIC
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 51A（Tc） 273W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT80SM120J
  仓库库存编号：APT80SM120J-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET 4N-CH 600V 38A ECO-PAC2
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 38A Chassis Mount ECO-PAC2
  
  型号：VKM40-06P1
  仓库库存编号：VKM40-06P1-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
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• Vishay Siliconix
  JFET P-CH 30V TO-18
  详细描述：JFET Through Hole TO-206AA (TO-18)
  
  型号：2N5116JTX02
  仓库库存编号：2N5116JTX02-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  JFET P-CH 30V TO-18
  详细描述：JFET Through Hole TO-206AA (TO-18)
  
  型号：2N5116JTXL02
  仓库库存编号：2N5116JTXL02-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
• 含铅
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 1700V 16A TO-247AB
  详细描述：通孔 1700V 16A（Tc）（90°C） 282W（Tc） TO-247AB
  
  型号：GA16JT17-247
  仓库库存编号：1242-1136-ND
  别名：1242-1136
  GA16JT17247
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET 4N-CH 500V 40A V2
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 500V 40A Chassis Mount V2-PAK
  
  型号：VBH40-05B
  仓库库存编号：VBH40-05B-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
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• Vishay Siliconix
  JFET P-CH 30V TO-18
  详细描述：JFET Through Hole TO-206AA (TO-18)
  
  型号：2N5116JTVL02
  仓库库存编号：2N5116JTVL02-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET 6N-CH 75V 270A V2-PAK
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 75V 270A Chassis Mount V2-PAK
  
  型号：VWM270-0075X2
  仓库库存编号：VWM270-0075X2-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 1.7KV 100A
  详细描述：通孔 1700V 100A（Tc） 583W（Tc） TO-247
  
  型号：GA50JT17-247
  仓库库存编号：1242-1247-ND
  别名：1242-1247
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 680A Chassis Mount Y3-Li
  
  型号：VMM650-01F
  仓库库存编号：VMM650-01F-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
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• IXYS
  MOSFET 2N-CH 900V 85A Y3-LI
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 900V 85A Chassis Mount Y3-Li
  
  型号：VMM90-09F
  仓库库存编号：VMM90-09F-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
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• GeneSiC Semiconductor
  TRANS SJT 600V 100A
  详细描述：通孔 600V 100A（Tc） 769W（Tc） TO-258
  
  型号：GA50JT06-258
  仓库库存编号：1242-1253-ND
  别名：1242-1253
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2A（Tj） 带箔切割晶片
  
  型号：IPC014N03L3X1SA1
  仓库库存编号：IPC014N03L3X1SA1-ND
  别名：SP000454346
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1A（Tj） 带箔切割晶片
  
  型号：IPC022N03L3X1SA1
  仓库库存编号：IPC022N03L3X1SA1-ND
  别名：SP000904026
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1A（Tj） 带箔切割晶片
  
  型号：IPC020N10L3X1SA1
  仓库库存编号：IPC020N10L3X1SA1-ND
  别名：SP001006962
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
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• NXP USA Inc.
  JFET N-CH 40V 250MW SOT23
  详细描述：JFET N-Channel 40V 250mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)
  
  型号：BSR57,215
  仓库库存编号：BSR57,215-ND
  别名：933410750215
  BSR57 T/R
  BSR57 T/R-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2A（Tj） 带箔切割晶片
  
  型号：IPC028N03L3X1SA1
  仓库库存编号：IPC028N03L3X1SA1-ND
  别名：SP000555720
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
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