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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC042N03L3X1SA1
仓库库存编号：
IPC042N03L3X1SA1-ND
别名：SP000448976
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC045N10L3X1SA1
仓库库存编号：
IPC045N10L3X1SA1-ND
别名：SP001187424
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC045N10N3X1SA1
仓库库存编号：
IPC045N10N3X1SA1-ND
别名：SP000900304
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC055N03L3X1SA1
仓库库存编号：
IPC055N03L3X1SA1-ND
别名：SP000448980
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 30V 13A 8-SO
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
AUIRF7805QTR
仓库库存编号：
AUIRF7805QTRTR-ND
别名：AUIRF7805QTRTR
SP001519422
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-262
详细描述：MOSFET N-CH 55V 51A TO-262
型号：
AUIRLZ44ZL
仓库库存编号：
AUIRLZ44ZL-ND
别名：SP001518950
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC173N10N3X1SA1
仓库库存编号：
IPC173N10N3X1SA1-ND
别名：SP000899314
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 91A IPAK
详细描述：MOSFET N-CH 55V 91A IPAK
型号：
AUIRFU1010Z
仓库库存编号：
AUIRFU1010Z-ND
别名：SP001516086
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC171N04NX1SA1
仓库库存编号：
IPC171N04NX1SA1-ND
别名：SP000300150
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 2A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC218N04N3X1SA1
仓库库存编号：
IPC218N04N3X1SA1-ND
别名：SP000448986
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 3A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC218N06L3X1SA1
仓库库存编号：
IPC218N06L3X1SA1-ND
别名：SP000476924
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 3A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC218N06N3X1SA2
仓库库存编号：
IPC218N06N3X1SA2-ND
别名：SP000544188
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 25V 303A PQFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 303A (Tc) Surface Mount 32-PQFN (6x6)
型号：
IRF3575DTRPBF
仓库库存编号：
IRF3575DTRPBF-ND
别名：SP001528872
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC302N08N3X1SA1
仓库库存编号：
IPC302N08N3X1SA1-ND
别名：SP000476912
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC302NE7N3X1SA1
仓库库存编号：
IPC302NE7N3X1SA1-ND
别名：SP000840426
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC302N10N3X1SA1
仓库库存编号：
IPC302N10N3X1SA1-ND
别名：SP000476916
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 120V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC26N12NX1SA1
仓库库存编号：
IPC26N12NX1SA1-ND
别名：SP000296743
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC302N15N3X1SA1
仓库库存编号：
IPC302N15N3X1SA1-ND
别名：SP000875892
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC300N15N3RX1SA2
仓库库存编号：
IPC300N15N3RX1SA2-ND
别名：SP001049344
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 120V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC302N12N3X1SA1
仓库库存编号：
IPC302N12N3X1SA1-ND
别名：SP000717450
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC302N20N3X1SA1
仓库库存编号：
IPC302N20N3X1SA1-ND
别名：SP000619656
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC302N25N3X1SA1
仓库库存编号：
IPC302N25N3X1SA1-ND
别名：SP000870638
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC302N20NFDX1SA1
仓库库存编号：
IPC302N20NFDX1SA1-ND
别名：SP001363494
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC302N25N3AX1SA1
仓库库存编号：
IPC302N25N3AX1SA1-ND
别名：SP000691616
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH DPAK
详细描述：MOSFET N-CH DPAK
型号：
STD150N2LH5
仓库库存编号：
STD150N2LH5-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -,
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