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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.4A(Ta) 625mW(Ta) SOT-23-3
型号:
ZXM61N03FTA
仓库库存编号:
ZXM61N03FCT-ND
别名:ZXM61N03F
ZXM61N03FCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Tc) 3.3W(Tc) SOT-223
型号:
STN4NF20L
仓库库存编号:
497-10779-1-ND
别名:497-10779-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 450V 0.6A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 600mA(Tc) 3W(Ta) SOT-223
型号:
STN3N45K3
仓库库存编号:
497-10649-1-ND
别名:497-10649-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 320mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
TP0606N3-G
仓库库存编号:
TP0606N3-G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 500mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
TN0610N3-G
仓库库存编号:
TN0610N3-G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 80V 0.28A TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 280mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VP0808L-G
仓库库存编号:
VP0808L-G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 250mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
TN0620N3-G
仓库库存编号:
TN0620N3-G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 90V 0.2A SOT23-5
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Tj) 490mW(Ta) SOT-23-5
型号:
DN1509K1-G
仓库库存编号:
DN1509K1-GCT-ND
别名:DN1509K1-GCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT89-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Tj) 1.6W(Ta) TO-243AA(SOT-89)
型号:
VN2460N8-G
仓库库存编号:
VN2460N8-GCT-ND
别名:VN2460N8-GCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 0.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 700mA(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF6217TRPBF
仓库库存编号:
IRF6217TRPBFCT-ND
别名:IRF6217TRPBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 120mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP125H6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP125H6327XTSA1CT-ND
别名:BSP125H6327XTSA1CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 500mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
TN0606N3-G
仓库库存编号:
TN0606N3-G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 500V 0.2A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 200mA(Tj) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
VN2450N3-G
仓库库存编号:
VN2450N3-G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 600V 0.16A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 160mA(Tj) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
VN2460N3-G
仓库库存编号:
VN2460N3-G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 200V 0.175A TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 175mA(Tj) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
TP0620N3-G
仓库库存编号:
TP0620N3-G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 450V 1.8A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 1.8A(Tc) 27W(Tc) I-Pak
型号:
STU3N45K3
仓库库存编号:
497-12362-ND
别名:497-12362
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 90V 360MA SOT89-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 360mA(Tj) 1.6W(Ta) TO-243AA(SOT-89)
型号:
DN1509N8-G
仓库库存编号:
DN1509N8-GCT-ND
别名:DN1509N8-GCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 450V 600MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 600mA(Tc) 3W(Tc) TO-92-3
型号:
STQ3N45K3-AP
仓库库存编号:
497-10969-1-ND
别名:497-10969-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 60V 320mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
TP0606N3-G-P002
仓库库存编号:
TP0606N3-G-P002-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 60V 320mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
TP0606N3-G-P003
仓库库存编号:
TP0606N3-G-P003-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 500mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
TN0610N3-G-P003
仓库库存编号:
TN0610N3-G-P003-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 500mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
TN0610N3-G-P013
仓库库存编号:
TN0610N3-G-P013-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V,
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 500V 0.25A SOT89-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 250mA(Tj) 1.6W(Ta) TO-243AA(SOT-89)
型号:
VN2450N8-G
仓库库存编号:
VN2450N8-G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V,
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 600V 0.16A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 160mA(Tj) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
VN2460N3-G-P003
仓库库存编号:
VN2460N3-G-P003-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V,
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MOSFET N-CH 600V 0.16A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 160mA(Tj) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
VN2460N3-G-P014
仓库库存编号:
VN2460N3-G-P014-ND
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