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Microchip Technology
MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 250mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
TN0620N3-G-P002
仓库库存编号:
TN0620N3-G-P002-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 250mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
TN0620N3-G-P014
仓库库存编号:
TN0620N3-G-P014-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 120mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP125H6433XTMA1
仓库库存编号:
BSP125H6433XTMA1-ND
别名:SP001058578
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET 2N-CH 450V 0.5A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 450V 500mA 1.3W Surface Mount 8-SO
型号:
STS1DN45K3
仓库库存编号:
497-10780-1-ND
别名:497-10780-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1.4A(Ta) 625mW(Ta) SOT-23-3
型号:
ZXM61N03FTC
仓库库存编号:
ZXM61N03FTC-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 0.27A TO-92L
详细描述:通孔 N 沟道 500V 270mA(Tc) 1.5W(Tc) TO-92L
型号:
FQNL1N50BBU
仓库库存编号:
FQNL1N50BBU-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 0.27A TO-92L
详细描述:通孔 N 沟道 500V 270mA(Tc) 1.5W(Tc) TO-92L
型号:
FQNL1N50BTA
仓库库存编号:
FQNL1N50BTA-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 1.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 1.4A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N40TF
仓库库存编号:
FQD2N40TF-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 1.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 1.4A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N40TM
仓库库存编号:
FQD2N40TM-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 1.1A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 500V 1.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) I-Pak
型号:
FQU1N50TU
仓库库存编号:
FQU1N50TU-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 1.4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 1.4A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP1N50
仓库库存编号:
FQP1N50-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 1.8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 400V 1.8A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP2N40
仓库库存编号:
FQP2N40-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 1.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
FQD1N50TF
仓库库存编号:
FQD1N50TF-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 1.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
FQD1N50TM
仓库库存编号:
FQD1N50TM-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 1.1A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 400V 1.1A(Tc) 16W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF2N40
仓库库存编号:
FQPF2N40-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 0.9A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 900mA(Tc) 16W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF1N50
仓库库存编号:
FQPF1N50-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 1A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) D-Pak
型号:
FQD1N60TF
仓库库存编号:
FQD1N60TF-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1.2A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 1.2A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP1N60
仓库库存编号:
FQP1N60-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 1A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) I-Pak
型号:
FQU1N60TU
仓库库存编号:
FQU1N60TU-ND
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 1A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) D-Pak
型号:
FQD1N60TM
仓库库存编号:
FQD1N60TM-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 1.2A(Tc) 3.13W(Ta),40W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB1N60TM
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FQB1N60TM-ND
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 0.9A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 900mA(Tc) 21W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF1N60
仓库库存编号:
FQPF1N60-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 0.9A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 900mA(Tc) 21W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF1N60T
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FQPF1N60T-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 150pF @ 25V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 200V 250mA(Ta) 350mW(Ta) TO-92-3
型号:
BS108ZL1G
仓库库存编号:
BS108ZL1GOSCT-ND
别名:BS108ZL1GOSCT
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205
详细描述:通孔 P 沟道 80V 880mA(Ta) 6.25W(Ta) TO-39
型号:
VP0808B
仓库库存编号:
VP0808B-ND
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