以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 25V 7.3A 6DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.3A（Ta） 690mW（Ta） 6-DFN2020（2x2）
  
  型号：DMP2039UFDE4-7
  仓库库存编号：DMP2039UFDE4-7DICT-ND
  别名：DMP2039UFDE4-7DICT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2530pF @ 15V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 124A（Tc） 83W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM036N03PQ56 RLG
  仓库库存编号：TSM036N03PQ56 RLGTR-ND
  别名：TSM036N03PQ56 RLGTR
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2530pF @ 15V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 124A（Tc） 83W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM036N03PQ56 RLG
  仓库库存编号：TSM036N03PQ56 RLGCT-ND
  别名：TSM036N03PQ56 RLGCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2530pF @ 15V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 124A（Tc） 83W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM036N03PQ56 RLG
  仓库库存编号：TSM036N03PQ56 RLGDKR-ND
  别名：TSM036N03PQ56 RLGDKR
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2530pF @ 15V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 25V 6.7A 6UDFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.7A（Ta） 800mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
  
  型号：DMP2039UFDE-7
  仓库库存编号：DMP2039UFDE-7DICT-ND
  别名：DMP2039UFDE-7DICT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2530pF @ 15V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7467
  仓库库存编号：IRF7467-ND
  别名：*IRF7467
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2530pF @ 15V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7467TR
  仓库库存编号：IRF7467TR-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2530pF @ 15V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7467TRPBF
  仓库库存编号：IRF7467TRPBFCT-ND
  别名：IRF7467TRPBFCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2530pF @ 15V,
• 无铅
• 搜索