规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2880pF @ 25V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 130W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3705ZPBF
仓库库存编号:
IRL3705ZPBF-ND
别名:*IRL3705ZPBF
SP001557992
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2880pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 61.8A(Tc) 106W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y12-55B,115
仓库库存编号:
1727-4613-1-ND
别名:1727-4613-1
568-5525-1
568-5525-1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2880pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 130W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3705ZSTRLPBF
仓库库存编号:
IRL3705ZSTRLPBFCT-ND
别名:IRL3705ZSTRLPBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2880pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta),61A(Tc) 150W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB3652
仓库库存编号:
FDB3652CT-ND
别名:FDB3652CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2880pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 61A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Ta),61A(Tc) 150W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP3652
仓库库存编号:
FDP3652-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2880pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 130W(Tc) TO-262
型号:
IRL3705ZLPBF
仓库库存编号:
IRL3705ZLPBF-ND
别名:*IRL3705ZLPBF
SP001576270
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2880pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 86A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 130W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRL3705Z
仓库库存编号:
AUIRL3705Z-ND
别名:SP001519682
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2880pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 61A TO-262AA
详细描述:通孔 N 沟道 100V 9A(Ta),61A(Tc) 150W(Tc) TO-262AA
型号:
FDI3652
仓库库存编号:
FDI3652-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2880pF @ 25V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 18A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 18A(Tc) 48W(Tc) TO-220F
型号:
GP2M020A050F
仓库库存编号:
GP2M020A050F-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2880pF @ 25V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN
详细描述:通孔 N 沟道 500V 20A(Tc) 312W(Tc) TO-3PN
型号:
GP2M020A050N
仓库库存编号:
GP2M020A050N-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2880pF @ 25V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 18A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 18A(Tc) 290W(Tc) TO-220
型号:
GP2M020A050H
仓库库存编号:
1560-1213-5-ND
别名:1560-1213-1
1560-1213-1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2880pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 130W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3705Z
仓库库存编号:
IRL3705Z-ND
别名:*IRL3705Z
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2880pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 130W(Tc) TO-262
型号:
IRL3705ZL
仓库库存编号:
IRL3705ZL-ND
别名:*IRL3705ZL
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2880pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 130W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3705ZSTRL
仓库库存编号:
IRL3705ZSCT-ND
别名:IRL3705ZSCT
IRL3705ZSCTL-ND
IRL3705ZSLCT
IRL3705ZSLCT-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2880pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 130W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRL3705ZSTRL
仓库库存编号:
AUIRL3705ZSTRLCT-ND
别名:AUIRL3705ZSTRLCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2880pF @ 25V,
无铅
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