规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2540pF @ 100V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 23A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA50R140CP
仓库库存编号:
IPA50R140CP-ND
别名:IPA50R140CPXKSA1
SP000234988
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2540pF @ 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 23A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 192W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW50R140CP
仓库库存编号:
IPW50R140CP-ND
别名:IPW50R140CPFKSA1
SP000234989
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2540pF @ 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 23A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 192W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPP50R140CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP50R140CPXKSA1-ND
别名:SP000680932
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2540pF @ 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 23A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 192W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB50R140CP
仓库库存编号:
IPB50R140CPCT-ND
别名:IPB50R140CPCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2540pF @ 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 23A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 550V 23A(Tc) 192W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R140CPHKSA1
仓库库存编号:
IPP50R140CPHKSA1-ND
别名:IPP50R140CP
IPP50R140CP-ND
SP000234986
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2540pF @ 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 23A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 550V 23A(Tc) 192W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI50R140CP
仓库库存编号:
IPI50R140CP-ND
别名:SP000396822
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2540pF @ 100V,
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