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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 35A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 120W(Tc) TO-247
型号:
R6035ENZ1C9
仓库库存编号:
R6035ENZ1C9-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2720pF @ 25V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 120W(Tc) TO-3PF
型号:
R6035ENZC8
仓库库存编号:
R6035ENZC8-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2720pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N/P-CH 200V 26A/17A I4PAC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 200V 26A, 17A 125W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
型号:
FMP26-02P
仓库库存编号:
FMP26-02P-ND
别名:FMP2602P
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2720pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 50A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 360W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA50N20P
仓库库存编号:
IXTA50N20P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2720pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 50A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 360W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP50N20P
仓库库存编号:
IXTP50N20P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2720pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 20A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 90W(Tc) TO-220 隔离的标片
型号:
IXTP50N20PM
仓库库存编号:
IXTP50N20PM-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2720pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 50A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 360W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ50N20P
仓库库存编号:
IXTQ50N20P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2720pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 16A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 16A(Tc) 310W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB16N60LPBF
仓库库存编号:
IRFB16N60LPBF-ND
别名:*IRFB16N60LPBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2720pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 15A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 600V 15A(Tc) 280W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP15N60LPBF
仓库库存编号:
IRFP15N60LPBF-ND
别名:*IRFP15N60LPBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2720pF @ 25V,
无铅
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