规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3100pF @ 15V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 71A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Ta),71A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC057N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC057N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC057N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC057N03MSGINCT
BSC057N03MSGINCT-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3100pF @ 15V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 3W(Ta),25W(Tc) 8-HSOP
型号:
RS1E200BNTB
仓库库存编号:
RS1E200BNTBCT-ND
别名:RS1E200BNTBCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3100pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),45W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ058N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSZ058N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSZ058N03MSGINCT
BSZ058N03MSGINCT-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3100pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO065N03MSGXUMA1
仓库库存编号:
BSO065N03MSGXUMA1CT-ND
别名:BSO065N03MS GINCT
BSO065N03MS GINCT-ND
BSO065N03MSG
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3100pF @ 15V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 50A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 5.2W(Ta),104W(Tc) 10-PolarPAK?(U)
型号:
SIE862DF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIE862DF-T1-GE3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3100pF @ 15V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 24A 5X6 PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 24A(Ta),76A(Tc) 3.1W(Ta) PQFN(5x6)
型号:
IRFH7934TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH7934TR2PBFCT-ND
别名:IRFH7934TR2PBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3100pF @ 15V,
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