规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2030pF @ 25V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(11)
分立半导体产品
(11)
筛选品牌
Infineon Technologies (1)
IXYS (2)
Microsemi Corporation (1)
STMicroelectronics (7)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 60W(Tc) TO-220
型号:
STP75N3LLH6
仓库库存编号:
497-11336-5-ND
别名:497-11336-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2030pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 13A I2PAK FP
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 35W(Tc) I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFI13NK60Z
仓库库存编号:
497-12856-5-ND
别名:497-12856-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2030pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 13A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 35W(Tc) TO-220FP
型号:
STP13NK60ZFP
仓库库存编号:
497-12605-5-ND
别名:497-12605-5
STP13NK60ZFP-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2030pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A PWRFLAT56
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 4W(Ta), 60W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL86N3LLH6AG
仓库库存编号:
497-16043-1-ND
别名:497-16043-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2030pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
STB13NK60ZT4
仓库库存编号:
497-6546-1-ND
别名:497-6546-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2030pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 13A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
STP13NK60Z
仓库库存编号:
497-3182-5-ND
别名:497-3182-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2030pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 65V 28A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 28A(Tc) 83W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP28P065T
仓库库存编号:
IXTP28P065T-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2030pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 65V 28A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 28A(Tc) 83W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA28P065T
仓库库存编号:
IXTA28P065T-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2030pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 13A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
STW13NK60Z
仓库库存编号:
497-3257-5-ND
别名:497-3257-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2030pF @ 25V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 9A(Tc) 300W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT1201R4BFLLG
仓库库存编号:
APT1201R4BFLLG-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2030pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 30A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3505TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3505TRPBFCT-ND
别名:IRFR3505TRPBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2030pF @ 25V,
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号