规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 315pF @ 100V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 60W(Tc) TO-220
型号:
STP9N65M2
仓库库存编号:
497-15042-5-ND
别名:497-15042-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 315pF @ 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 60W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
STU9N65M2
仓库库存编号:
497-15046-5-ND
别名:497-15046-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 315pF @ 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 20W(Tc) TO-220FP
型号:
STF9N65M2
仓库库存编号:
497-15037-5-ND
别名:497-15037-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 315pF @ 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
STD9N65M2
仓库库存编号:
497-15051-1-ND
别名:497-15051-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 315pF @ 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X6 H
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 48W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL10N65M2
仓库库存编号:
497-15052-1-ND
别名:497-15052-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 315pF @ 100V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 36.8W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM60NB900CP ROG
仓库库存编号:
TSM60NB900CP ROGTR-ND
别名:TSM60NB900CP ROGTR
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 315pF @ 100V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 36.8W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM60NB900CP ROG
仓库库存编号:
TSM60NB900CP ROGCT-ND
别名:TSM60NB900CP ROGCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 315pF @ 100V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 36.8W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM60NB900CP ROG
仓库库存编号:
TSM60NB900CP ROGDKR-ND
别名:TSM60NB900CP ROGDKR
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 315pF @ 100V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 36.8W(Tc) TO-251(IPAK)
型号:
TSM60NB900CH C5G
仓库库存编号:
TSM60NB900CH C5G-ND
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