规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1420pF @ 100V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 13A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 114W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW50R250CP
仓库库存编号:
IPW50R250CP-ND
别名:IPW50R250CPFKSA1
SP000301162
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1420pF @ 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 33W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA50R250CP
仓库库存编号:
IPA50R250CP-ND
别名:IPA50R250CPXKSA1
SP000236080
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1420pF @ 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 13A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 114W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI50R250CPXKSA1
仓库库存编号:
IPI50R250CPXKSA1-ND
别名:IPI50R250CP
IPI50R250CP-ND
SP000523750
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1420pF @ 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 13A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 550V 13A(Tc) 114W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB50R250CPATMA1
仓库库存编号:
IPB50R250CPATMA1TR-ND
别名:IPB50R250CP
IPB50R250CP-ND
SP000236093
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1420pF @ 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 13A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 13A(Tc) 114W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R250CPHKSA1
仓库库存编号:
IPP50R250CPHKSA1-ND
别名:IPP50R250CP
IPP50R250CP-ND
SP000236071
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1420pF @ 100V,
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