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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 150A SOT78
详细描述:通孔 N 沟道 150A(Tc) 349W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN1R9-40PLQ
仓库库存编号:
1727-1851-ND
别名:1727-1851
568-11542
568-11542-ND
934067498127
934067606127
PSMN1R9-40PLQ-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13200pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 65V 120A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 120A(Tc) 298W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP120P065T
仓库库存编号:
IXTP120P065T-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13200pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 65V 120A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 120A(Tc) 298W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA120P065T
仓库库存编号:
IXTA120P065T-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13200pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 65V 120A TO-247
详细描述:通孔 P 沟道 120A(Tc) 298W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH120P065T
仓库库存编号:
IXTH120P065T-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13200pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 30A(Tc) 800W(Tc) PLUS264?
型号:
IXTB30N100L
仓库库存编号:
IXTB30N100L-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 13200pF @ 25V,
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