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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 36W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD5867NLT4G
  仓库库存编号：NTD5867NLT4GOSCT-ND
  别名：NTD5867NLT4GOSCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 675pF @ 25V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 2.1W（Ta），55W（Tj） DPAK
  
  型号：NTD18N06LT4G
  仓库库存编号：NTD18N06LT4GOSCT-ND
  别名：NTD18N06LT4GOSCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 675pF @ 25V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 3.3W（Ta），43W（Tc） DPAK
  
  型号：SVD5867NLT4G
  仓库库存编号：SVD5867NLT4GOSCT-ND
  别名：NVD5867NLT4GOSCT
  NVD5867NLT4GOSCT-ND
  SVD5867NLT4GOSCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 675pF @ 25V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 18A（Ta） 2.1W（Ta），55W（Tj） DPAK
  
  型号：NTD18N06LT4
  仓库库存编号：NTD18N06LT4OS-ND
  别名：NTD18N06LT4OS
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 675pF @ 25V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 18A（Ta） 2.1W（Ta），55W（Tj） I-Pak
  
  型号：NTD18N06L-001
  仓库库存编号：NTD18N06L-001OS-ND
  别名：NTD18N06L-001OS
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 675pF @ 25V,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 18A（Ta） 2.1W（Ta），55W（Tj） DPAK
  
  型号：NTD18N06L
  仓库库存编号：NTD18N06L-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 675pF @ 25V,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 18A（Ta） 2.1W（Ta），55W（Tj） I-Pak
  
  型号：NTD18N06L-1G
  仓库库存编号：NTD18N06L-1G-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 675pF @ 25V,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 20A（Tc） 36W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD5867NL-1G
  仓库库存编号：NTD5867NL-1GOS-ND
  别名：NTD5867NL-1G-ND
  NTD5867NL-1GOS
  NTD5867NL1G
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 675pF @ 25V,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 18A（Ta） 2.1W（Ta），55W（Tj） DPAK-3
  
  型号：NTDV18N06LT4G
  仓库库存编号：NTDV18N06LT4G-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 675pF @ 25V,
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