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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 21A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 192W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R165CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP60R165CPXKSA1-ND
别名:IPP60R165CP
IPP60R165CP-ND
IPP60R165CPX
IPP60R165CPXK
SP000084279
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 192W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB60R165CP
仓库库存编号:
IPB60R165CPCT-ND
别名:IPB60R165CPCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 21A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 192W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R165CP
仓库库存编号:
IPW60R165CP-ND
别名:IPW60R165CPFKSA1
IPW60R165CPX
IPW60R165CPXK
SP000095483
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 100V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 278W(Tc) TO-220
型号:
AOT11C60L
仓库库存编号:
AOT11C60L-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 100V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 278W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB11C60L
仓库库存编号:
AOB11C60L-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 24A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) TO-220AB
型号:
IXKP24N60C5
仓库库存编号:
IXKP24N60C5-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 8.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 8.5A(Tc) TO-220ABFP
型号:
IXKP24N60C5M
仓库库存编号:
IXKP24N60C5M-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXKC15N60C5
仓库库存编号:
IXKC15N60C5-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 24A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) TO-247AD(IXKH)
型号:
IXKH24N60C5
仓库库存编号:
IXKH24N60C5-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC-5
详细描述:通孔 N 沟道 600V 15A(Tc) ISOPLUS i4-PAC?
型号:
FDM15-06KC5
仓库库存编号:
FDM15-06KC5-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC-5
详细描述:通孔 N 沟道 600V 15A(Tc) ISOPLUS i4-PAC?
型号:
FMD15-06KC5
仓库库存编号:
FMD15-06KC5-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 21A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 21A(Tc) 34W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R165CPXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R165CPXKSA1-ND
别名:IPA60R165CP
IPA60R165CP-ND
SP000096437
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 21A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 21A(Tc) 192W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI60R165CPAKSA1
仓库库存编号:
IPI60R165CPAKSA1-ND
别名:IPI60R165CP
IPI60R165CP-ND
SP000276736
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC
详细描述:通孔 N 沟道 600V 15A(Tc) ISOPLUS i4-PAC?
型号:
MKE11R600DCGFC
仓库库存编号:
MKE11R600DCGFC-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 100V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO-262F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 28W(Tc) TO-262F
型号:
AOWF11C60
仓库库存编号:
785-1656-5-ND
别名:785-1656-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 100V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 11A(Tc) 278W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB11C60
仓库库存编号:
AOB11C60-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 100V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 278W(Tc) TO-220
型号:
AOT11C60
仓库库存编号:
AOT11C60-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 100V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 50W(Tc) TO-220F
型号:
AOTF11C60_001
仓库库存编号:
AOTF11C60_001-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 100V,
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