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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta) 700mW(Ta),30W(Tc) 8-TSON
型号:
TPCC8002-H(TE12L,Q
仓库库存编号:
TPCC8002-H(TE12LQCT-ND
别名:TPCC8002-H(TE12LQCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2500pF @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta) 700mW(Ta),30W(Tc) 8-TSON
型号:
TPCC8002-H(TE12L,Q
仓库库存编号:
1246-TPCC8002-H(TE12LQ-CHP
别名:TPCC8002HTE12LQ
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2500pF @ 10V,
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Rohm Semiconductor
60V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 4.5A 2W Surface Mount 8-SOP
型号:
SH8J31GZETB
仓库库存编号:
SH8J31GZETBCT-ND
别名:SH8J31GZETBCT
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无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 9.7A 4-MICROFOOT
详细描述:表面贴装 P 沟道 9.7A(Tc) 2.8W(Tc) 4-MICRO FOOT?(1.6x1.6)
型号:
SI8481DB-T1-E1
仓库库存编号:
SI8481DB-T1-E1CT-ND
别名:SI8481DB-T1-E1CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2500pF @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) TO-247AD(IXKH)
型号:
IXKH30N60C5
仓库库存编号:
IXKH30N60C5-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2500pF @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 22A(Ta) 700mW(Ta),30W(Tc) 8-TSON
型号:
TPCC8001-H(TE12LQM
仓库库存编号:
TPCC8001-H(TE12LQMCT-ND
别名:TPCC8001-H(TE12LQMCT
TPCC8001HTE12LQM
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2500pF @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 22A(Ta) 700mW(Ta),30W(Tc) 8-TSON
型号:
TPCC8002-H(TE12LQM
仓库库存编号:
TPCC8002-H(TE12LQMCT-ND
别名:TPCC8002-H(TE12LQMCT
TPCC8002HTE12LQM
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