规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 1.9W(Ta) 6-WLCSP
型号:
FDZ191P
仓库库存编号:
FDZ191PCT-ND
别名:FDZ191PCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 3.5W(Ta),19.2W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA430DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA430DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA430DJ-T1-GE3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 3.5A TUMT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Ta) 320mW(Ta) TUMT6
型号:
RRL035P03TR
仓库库存编号:
RRL035P03CT-ND
别名:RRL035P03CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4A 550mW Surface Mount TSMT8
型号:
QS8J4TR
仓库库存编号:
QS8J4CT-ND
别名:QS8J4CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 5A MICROFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDMA430NZ
仓库库存编号:
FDMA430NZCT-ND
别名:FDMA430NZCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 10V,
无铅
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Central Semiconductor Corp
MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT-23F
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.4A(Ta) 350mW(Ta) SOT-23F
型号:
CMPDM302PH TR
仓库库存编号:
CMPDM302PH CT-ND
别名:CMPDM302PH CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 10V,
无铅
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Central Semiconductor Corp
MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT-23F
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.3A(Ta) 350mW(Ta) SOT-23F
型号:
CMPDM202PH TR
仓库库存编号:
CMPDM202PH CT-ND
别名:CMPDM202PH CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 40V 4.8A PS-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.8A(Ta) 840mW(Ta) PS-8 (2.9x2.4)
型号:
TPCP8103-H(TE85LFM
仓库库存编号:
TPCP8103-H(TE85LFMCT-ND
别名:TPCP8103-H(TE85LFMCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SOP8
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.5A 2W Surface Mount 8-SOP
型号:
SH8J62TB1
仓库库存编号:
SH8J62TB1CT-ND
别名:SH8J62TB1CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
SIC POWER MODULE-1200V-80A
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 80A 600W Chassis Mount Module
型号:
BSM080D12P2C008
仓库库存编号:
BSM080D12P2C008-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 150W(Tc) TO-252
型号:
IXTY8N70X2
仓库库存编号:
IXTY8N70X2-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 150W(Tc) TO-251
型号:
IXTU8N70X2
仓库库存编号:
IXTU8N70X2-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 32W(Tc) TO-220
型号:
IXTP8N70X2M
仓库库存编号:
IXTP8N70X2M-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 150W(Tc) TO-220
型号:
IXTP8N70X2
仓库库存编号:
IXTP8N70X2-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 19.2W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA430DJT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA430DJT-T1-GE3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3A TSMT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 1.25W(Ta) TSMT6(SC-95)
型号:
RTQ030P02TR
仓库库存编号:
RTQ030P02CT-ND
别名:RTQ030P02CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 4A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RSS040P03FU6TB
仓库库存编号:
RSS040P03FU6TB-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A MPT6
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta) 2W(Ta) MPT6
型号:
RP1E100XNTR
仓库库存编号:
RP1E100XNCT-ND
别名:RP1E100XNTRCT
RP1E100XNTRCT-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 800pF @ 10V,
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