规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 30V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.9A(Tc) 2W(Ta),3.3W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3459BDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3459BDV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3459BDV-T1-GE3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.1A(Tc) 2W(Ta),3.3W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3458BDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3458BDV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3458BDV-T1-GE3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.1A(Tc) 2W(Ta),3.3W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3458BDV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3458BDV-T1-E3CT-ND
别名:SI3458BDV-T1-E3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.9A(Tc) 3.3W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3459BDV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3459BDV-T1-E3CT-ND
别名:SI3459BDV-T1-E3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 30V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.4A(Tc) 280mW(Tj) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV45EN,215
仓库库存编号:
568-2356-1-ND
别名:568-2356-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 30V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 4.7A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 4.7A(Tc) 280mW(Tj) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV60EN,215
仓库库存编号:
568-2357-1-ND
别名:568-2357-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 30V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 5A ATPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 5A(Ta) 70W(Tc) ATPAK
型号:
ATP602-TL-H
仓库库存编号:
869-1089-1-ND
别名:869-1089-1
ATP602TLH
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 30V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 4.6A(Tc) 1.75W(Tc) 6-TSOP
型号:
PMN49EN,135
仓库库存编号:
568-7424-1-ND
别名:568-7424-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 30V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 5.5A ATPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 5.5A(Ta) 70W(Tc) ATPAK
型号:
ATP613-TL-H
仓库库存编号:
ATP613-TL-H-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 30V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 75V 10A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 10A(Tc) 2.1W(Ta),20W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD446
仓库库存编号:
AOD446-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 350pF @ 30V,
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