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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 55W（Tj） DPAK
  
  型号：NTD2955T4G
  仓库库存编号：NTD2955T4GOSCT-ND
  别名：NTD2955T4GOS
  NTD2955T4GOS-ND
  NTD2955T4GOSCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 750pF @ 25V,
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• Central Semiconductor Corp
  MOSFET P-CH 40V 6A SOT-89
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 1.2W（Ta） SOT-89
  
  型号：CXDM4060P TR
  仓库库存编号：CXDM4060P CT-ND
  别名：CXDM4060P CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 750pF @ 25V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
  详细描述：通孔 P 沟道 12A（Ta） 55W（Tj） I-Pak
  
  型号：NTD2955-1G
  仓库库存编号：NTD2955-1GOS-ND
  别名：NTD2955-1G-ND
  NTD2955-1GOS
  NTD29551G
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 750pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 4.5A 2.5W Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS3992
  仓库库存编号：FDS3992CT-ND
  别名：FDS3992CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 750pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3303TRPBF
  仓库库存编号：IRFR3303PBFCT-ND
  别名：*IRFR3303TRPBF
  IRFR3303PBFCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 750pF @ 25V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 40W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM090N03CP ROG
  仓库库存编号：TSM090N03CP ROGTR-ND
  别名：TSM090N03CP ROGTR
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 750pF @ 25V,
• 无铅
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 40W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM090N03CP ROG
  仓库库存编号：TSM090N03CP ROGCT-ND
  别名：TSM090N03CP ROGCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 750pF @ 25V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 40W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM090N03CP ROG
  仓库库存编号：TSM090N03CP ROGDKR-ND
  别名：TSM090N03CP ROGDKR
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 750pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 60V 7A
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 7A 4W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SQ4946AEY-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ4946AEY-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ4946AEY-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 750pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 7.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3-1
  
  型号：SPD08N50C3ATMA1
  仓库库存编号：SPD08N50C3ATMA1CT-ND
  别名：SPD08N50C3ATMA1CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 750pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 9A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 98W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP9N30
  仓库库存编号：FQP9N30-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 750pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 7.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP08N50C3XKSA1
  仓库库存编号：SPP08N50C3XKSA1-ND
  别名：SP000681038
  SPP08N50C3
  SPP08N50C3IN
  SPP08N50C3IN-ND
  SPP08N50C3X
  SPP08N50C3X-ND
  SPP08N50C3XK
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 750pF @ 25V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 55W（Tj） DPAK
  
  型号：SVD2955T4G
  仓库库存编号：SVD2955T4GOSCT-ND
  别名：NVD2955T4GOSCT
  NVD2955T4GOSCT-ND
  SVD2955T4GOSCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 750pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 24A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 75W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP24N08
  仓库库存编号：FQP24N08-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 750pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 7.6A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 7.6A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：SPA08N50C3
  仓库库存编号：SPA08N50C3IN-ND
  别名：SP000216306
  SPA08N50C3IN
  SPA08N50C3X
  SPA08N50C3XK
  SPA08N50C3XKSA1
  SPA08N50C3XTIN
  SPA08N50C3XTIN-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 750pF @ 25V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 54W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM080N03EPQ56 RLG
  仓库库存编号：TSM080N03EPQ56 RLGTR-ND
  别名：TSM080N03EPQ56 RLGTR
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 750pF @ 25V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 54W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM080N03EPQ56 RLG
  仓库库存编号：TSM080N03EPQ56 RLGCT-ND
  别名：TSM080N03EPQ56 RLGCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 750pF @ 25V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 54W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM080N03EPQ56 RLG
  仓库库存编号：TSM080N03EPQ56 RLGDKR-ND
  别名：TSM080N03EPQ56 RLGDKR
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 750pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 100W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA4N80P
  仓库库存编号：IXTA4N80P-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 750pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP5N60P
  仓库库存编号：IXTP5N60P-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 750pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 5A D2-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 100W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA5N60P
  仓库库存编号：IXTA5N60P-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 750pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 3.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 3.6A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP4N80P
  仓库库存编号：IXTP4N80P-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 750pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 7.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 560V 7.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD08N50C3
  仓库库存编号：SPD08N50C3INCT-ND
  别名：SPD08N50C3INCT
  SPD08N50C3XTINCT
  SPD08N50C3XTINCT-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 750pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 560V 7.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI08N50C3XKSA1
  仓库库存编号：SPI08N50C3XKSA1-ND
  别名：SP000680984
  SPI08N50C3
  SPI08N50C3-ND
  SPI08N50C3IN
  SPI08N50C3IN-ND
  SPI08N50C3X
  SPI08N50C3XK
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 750pF @ 25V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 6A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 6A（Tc） 75W（Tc） TO-220AB
  
  型号：MTP6P20E
  仓库库存编号：MTP6P20EOS-ND
  别名：MTP6P20EOS
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 750pF @ 25V,
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