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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 6.6A 6UDFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.6A（Ta） 740mW（Ta） U-DFN1616-6
  
  型号：DMP2035UFCL-7
  仓库库存编号：DMP2035UFCL-7DICT-ND
  别名：DMP2035UFCL-7DICT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2200pF @ 10V,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 60A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 858W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB70NH03LT4
  仓库库存编号：STB70NH03LT4-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2200pF @ 10V,
• 无铅
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Ta） 20W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2096H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2096H-EL-E-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2200pF @ 10V,
• 含铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 6.8A（Tc） 1.92W（Ta） 8-MLP，MicroFET（3x2）
  
  型号：FDM606P
  仓库库存编号：FDM606P-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2200pF @ 10V,
• 无铅
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 20V 8.8A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 8.8A（Ta） 2W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：AO6408
  仓库库存编号：785-1073-1-ND
  别名：785-1073-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2200pF @ 10V,
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  无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 40A 8SOIC ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8025(TE12L,Q,M
  仓库库存编号：TPCA8025(TE12L,Q,M-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2200pF @ 10V,
• 
  
  无铅
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 22A（Ta） 700mW（Ta），27W（Tc） 8-TSON
  
  型号：TPCC8006-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCC8006-H(TE12LQMCT-ND
  别名：TPCC8006-H(TE12LQMCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2200pF @ 10V,
• 无铅
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