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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
型号：
IRLL110TRPBF
仓库库存编号：
IRLL110PBFCT-ND
别名：*IRLL110TRPBF
IRLL110PBFCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.4A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
型号：
FDD6N25TM
仓库库存编号：
FDD6N25TMCT-ND
别名：FDD6N25TMCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 43W（Tc） D-Pak
型号：
FDD7N20TM
仓库库存编号：
FDD7N20TMCT-ND
别名：FDD7N20TMCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR110TRPBF
仓库库存编号：
IRLR110TRPBFCT-ND
别名：*IRLR110TRPBF
IRLR110PBFCT
IRLR110PBFCT-ND
IRLR110TRPBFCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRLD110PBF
仓库库存编号：
IRLD110PBF-ND
别名：*IRLD110PBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 5.6A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL510PBF
仓库库存编号：
IRL510PBF-ND
别名：*IRL510PBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 8A U8FL
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 2.4A（Ta） 3W（Ta），18W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NVTFS5124PLTAG
仓库库存编号：
NVTFS5124PLTAGOSCT-ND
别名：NVTFS5124PLTAGOSCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 4.3A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
型号：
IRLU110PBF
仓库库存编号：
IRLU110PBF-ND
别名：*IRLU110PBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK-3
详细描述：通孔 N 沟道 4.4A（Tc） 50W（Tc） I-Pak
型号：
FDU6N25
仓库库存编号：
FDU6N25-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 1A（Tc） 2W（Tc） SOT-223-4
型号：
FQT5P10TF
仓库库存编号：
FQT5P10TFCT-ND
别名：FQT5P10TFCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223-4
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-223-4
型号：
HUFA75307T3ST
仓库库存编号：
HUFA75307T3STCT-ND
别名：HUFA75307T3STCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 250V 0.55A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 550mA（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223-4
型号：
FQT2P25TF
仓库库存编号：
FQT2P25TFCT-ND
别名：FQT2P25TFCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 2.8A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 2.8A（Tc） 52W（Tc） TO-220AB
型号：
FQP3P20
仓库库存编号：
FQP3P20-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 40W（Tc） TO-220FM
型号：
R6004ENX
仓库库存编号：
R6004ENX-ND
别名：R6004ENXCT
R6004ENXCT-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4A LPT
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 40W（Tc） LPTS（D2PAK）
型号：
R6004ENJTL
仓库库存编号：
R6004ENJTLCT-ND
别名：R6004ENJTLCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 670mA（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223-4
型号：
FQT3P20TF
仓库库存编号：
FQT3P20TFCT-ND
别名：FQT3P20TFCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 2W（Tc） SOT-223-4
型号：
FQT7N10TF
仓库库存编号：
FQT7N10TFCT-ND
别名：FQT7N10TFCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.6A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
FQD5P10TM
仓库库存编号：
FQD5P10TMFSCT-ND
别名：FQD5P10TMFSCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4A CPT3
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 20W（Tc） CPT3
型号：
R6004ENDTL
仓库库存编号：
R6004ENDTLCT-ND
别名：R6004ENDTLCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 8A U8FL
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.4A（Ta） 3W（Ta），18W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NVTFS5124PLTWG
仓库库存编号：
NVTFS5124PLTWG-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 8A U8FL
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.4A（Ta） 3W（Ta），18W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NVTFS5124PLWFTWG
仓库库存编号：
NVTFS5124PLWFTWG-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 8A U8FL
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.4A（Ta） 3W（Ta），18W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NVTFS5124PLWFTAG
仓库库存编号：
NVTFS5124PLWFTAG-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.2A（Tc） 25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR010PBF
仓库库存编号：
IRFR010PBF-ND
别名：*IRFR010PBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.2A（Tc） 25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR010TRLPBF
仓库库存编号：
IRFR010TRLPBF-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.2A（Tc） 25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR010TRPBF
仓库库存编号：
IRFR010TRPBF-ND
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