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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 5.6A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRL510SPBF
仓库库存编号：
IRL510SPBF-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 5.6A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRL510STRLPBF
仓库库存编号：
IRL510STRLPBF-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR110
仓库库存编号：
IRLR110-ND
别名：*IRLR110
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR110TR
仓库库存编号：
IRLR110TR-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR110TRL
仓库库存编号：
IRLR110TRL-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 4.3A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
型号：
IRLU110
仓库库存编号：
IRLU110-ND
别名：*IRLU110
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 1A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 42W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP1N80P
仓库库存编号：
IXTP1N80P-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 1A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 42W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
IXTY1N80P
仓库库存编号：
IXTY1N80P-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 10.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10.3A（Tc） 33W（Tc） DPAK
型号：
PHD3055E,118
仓库库存编号：
PHD3055E,118-ND
别名：934054728118
PHD3055E /T3
PHD3055E /T3-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 600MA 4-DIP
详细描述：通孔 P 沟道 60V 600mA（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD9113
仓库库存编号：
IRFD9113-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 5.6A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL510
仓库库存编号：
IRL510-ND
别名：*IRL510
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 100V 1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRLD110
仓库库存编号：
IRLD110-ND
别名：*IRLD110
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 2A 900mW Surface Mount 8-SO
型号：
NDS9959
仓库库存编号：
NDS9959CT-ND
别名：NDS9959CT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 50V 1.7A（Tc） 1W（Tc） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD010
仓库库存编号：
IRFD010-ND
别名：*IRFD010
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.5A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
型号：
IRLL110
仓库库存编号：
IRLL110-ND
别名：*IRLL110
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.5A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
型号：
IRLL110TR
仓库库存编号：
IRLL110TR-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 5.6A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRL510S
仓库库存编号：
IRL510S-ND
别名：*IRL510S
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50V 8.2A（Tc） 25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR010
仓库库存编号：
IRFR010-ND
别名：*IRFR010
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50V 8.2A（Tc） 25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR010TRL
仓库库存编号：
IRFR010TRL-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50V 8.2A（Tc） 25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR010TR
仓库库存编号：
IRFR010TR-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50V 8.2A（Tc） 25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR010TRR
仓库库存编号：
IRFR010TRR-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 8.2A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 50V 8.2A（Tc） 25W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU010
仓库库存编号：
IRFU010-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 5.6A（Tc） TO-262-3
型号：
IRL510L
仓库库存编号：
IRL510L-ND
别名：*IRL510L
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 5.6A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRL510STRL
仓库库存编号：
IRL510STRL-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 5.6A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRL510STRR
仓库库存编号：
IRL510STRR-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 250pF @ 25V,
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