规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 25V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(89)
分立半导体产品
(89)
筛选品牌
Infineon Technologies (1)
IXYS (2)
NXP USA Inc. (2)
Fairchild/ON Semiconductor (46)
ON Semiconductor (4)
Rohm Semiconductor (3)
Vishay Siliconix (31)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.3A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR110TRR
仓库库存编号:
IRLR110TRR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 25V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 50V 1.7A(Tc) 1W(Tc) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD010PBF
仓库库存编号:
IRFD010PBF-ND
别名:*IRFD010PBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 7.3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 7.3A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP7N10
仓库库存编号:
FQP7N10-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 250V 2.3A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 250V 2.3A(Tc) 52W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP2P25
仓库库存编号:
FQP2P25-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 2.4A IPAK
详细描述:通孔 P 沟道 200V 2.4A(Tc) 2.5W(Ta),37W(Tc) I-Pak
型号:
FQU3P20TU
仓库库存编号:
FQU3P20TU-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 7A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 80V 7A(Tc) 23W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF9N08
仓库库存编号:
FQPF9N08-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 9.3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80V 9.3A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP9N08
仓库库存编号:
FQP9N08-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 2.9A TO-220F
详细描述:通孔 P 沟道 100V 2.9A(Tc) 23W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF5P10
仓库库存编号:
FQPF5P10-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 2.4A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 2.4A(Tc) 2.5W(Ta),37W(Tc) D-Pak
型号:
FQD3P20TF
仓库库存编号:
FQD3P20TF-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 2.4A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 2.4A(Tc) 2.5W(Ta),37W(Tc) D-Pak
型号:
FQD3P20TM
仓库库存编号:
FQD3P20TM-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 250V 1.8A TO-220F
详细描述:通孔 P 沟道 250V 1.8A(Tc) 32W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF2P25
仓库库存编号:
FQPF2P25-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 7.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 7.4A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
FQD9N08TM
仓库库存编号:
FQD9N08TM-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 5.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 100V 5.5A(Tc) 23W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF7N10
仓库库存编号:
FQPF7N10-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 2.2A TO-220F
详细描述:通孔 P 沟道 200V 2.2A(Tc) 32W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF3P20
仓库库存编号:
FQPF3P20-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 3.6A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
FQD5P10TF
仓库库存编号:
FQD5P10TF-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 15A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 15A(Tc) 45W(Tc) TO-251AA
型号:
HUF75307D3
仓库库存编号:
HUF75307D3-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 4.5A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 100V 4.5A(Tc) 40W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP5P10
仓库库存编号:
FQP5P10-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 15A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 15A(Tc) 45W(Tc) TO-252AA
型号:
HUF75307D3ST
仓库库存编号:
HUF75307D3ST-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 4.5A I2PAK
详细描述:通孔 P 沟道 100V 4.5A(Tc) 3.75W(Ta),40W(Tc) I2PAK
型号:
FQI5P10TU
仓库库存编号:
FQI5P10TU-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 7.3A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 7.3A(Tc) 3.75W(Ta),40W(Tc) I2PAK(TO-262)
型号:
FQI7N10TU
仓库库存编号:
FQI7N10TU-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 250V 2.3A I2PAK
详细描述:通孔 P 沟道 250V 2.3A(Tc) 3.13W(Ta),52W(Tc) I2PAK
型号:
FQI2P25TU
仓库库存编号:
FQI2P25TU-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 2.8A I2PAK
详细描述:通孔 P 沟道 200V 2.8A(Tc) 3.13W(Ta),52W(Tc) I2PAK
型号:
FQI3P20TU
仓库库存编号:
FQI3P20TU-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 9.3A(Tc) 3.75W(Ta),40W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB9N08TM
仓库库存编号:
FQB9N08TM-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 9.3A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 80V 9.3A(Tc) 3.75W(Ta),40W(Tc) I2PAK(TO-262)
型号:
FQI9N08TU
仓库库存编号:
FQI9N08TU-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 62V 3.6A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 62V 3.6A 2.5W Surface Mount 8-SOIC
型号:
HUFA76404DK8T
仓库库存编号:
HUFA76404DK8T-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 250pF @ 25V,
无铅
搜索
1
2
3
4
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号