规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(10)
分立半导体产品
(10)
筛选品牌
Diodes Incorporated (2)
Fairchild/ON Semiconductor (1)
Renesas Electronics America (1)
Rohm Semiconductor (3)
Toshiba Semiconductor and Storage (2)
Vishay Siliconix (1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8 PPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS454DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS454DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS454DN-T1-GE3CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 10V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.3A(Ta) 1.56W(Ta) 8-SO
型号:
ZXMN2A02N8TA
仓库库存编号:
ZXMN2A02N8CT-ND
别名:ZXMN2A02N8CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 10V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 14A CPT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 14A(Ta) 20W(Tc) CPT3
型号:
RSD140P06TL
仓库库存编号:
RSD140P06TLCT-ND
别名:RSD140P06TLCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 10V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 7.5A SOP8
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.5A(Ta) 650mW(Ta) 8-SOP
型号:
RRH075P03TB1
仓库库存编号:
RRH075P03TB1CT-ND
别名:RRH075P03TB1CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 10V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 20A 8SOP-ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta) 1.6W(Ta),32W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8064-H,LQ(CM
仓库库存编号:
TPCA8064-HLQ(CM-ND
别名:TPCA8064-HLQ(CM
TPCA8064HLQCM
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 10V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 60V 20A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 20A(Tc) 2W(Ta),25W(Tc) TO-220 隔离的标片
型号:
2SJ649-AZ
仓库库存编号:
2SJ649-AZ-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 10V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 6.2A(Ta) 1.1W(Ta) 8-MSOP
型号:
ZXMN2A02X8TA
仓库库存编号:
ZXMN2A02X8CT-ND
别名:ZXMN2A02X8CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 6.5A BGA
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 6.5A 2.1W Surface Mount 18-BGA (2.5x4)
型号:
FDZ2554P
仓库库存编号:
FDZ2554P-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 10V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 21A SBD 8TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 21A(Ta) 700mW(Ta),30W(Tc) 8-TSON
型号:
TPCC8A01-H(TE12LQM
仓库库存编号:
TPCC8A01-H(TE12LQMCT-ND
别名:TPCC8A01-H(TE12LQMCT
TPCC8A01HTE12LQM
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 10V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 7.5A MPT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 7.5A(Ta) 2W(Ta) MPT6
型号:
RP1E075RPTR
仓库库存编号:
RP1E075RPCT-ND
别名:RP1E075RPTRCT
RP1E075RPTRCT-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF @ 10V,
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号