规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(52)
分立半导体产品
(52)
筛选品牌
Infineon Technologies (20)
IXYS (6)
Fairchild/ON Semiconductor (5)
ON Semiconductor (18)
Renesas Electronics America (3)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-223
型号：
NTF3055L108T1G
仓库库存编号：
NTF3055L108T1GOSCT-ND
别名：NTF3055L108T1GOS
NTF3055L108T1GOS-ND
NTF3055L108T1GOSCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 1.5W（Ta），48W（Tj） DPAK
型号：
NTD3055L104T4G
仓库库存编号：
NTD3055L104T4GOSCT-ND
别名：NTD3055L104T4GOS
NTD3055L104T4GOS-ND
NTD3055L104T4GOSCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 48W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR120NTRPBF
仓库库存编号：
IRLR120NPBFCT-ND
别名：*IRLR120NTRPBF
IRLR120NPBFCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta） 1.5W（Ta），48W（Tj） I-Pak
型号：
NTD3055L104-1G
仓库库存编号：
NTD3055L104-1GOS-ND
别名：NTD3055L104-1G-ND
NTD3055L104-1GOS
NTD3055L1041G
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 8.1A（Tc） 30W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRLI520NPBF
仓库库存编号：
IRLI520NPBF-ND
别名：*IRLI520NPBF
SP001576820
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） D2PAK
型号：
IRL520NSPBF
仓库库存编号：
IRL520NSPBF-ND
别名：*IRL520NSPBF
SP001568426
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 62W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
FDD5N50NZTM
仓库库存编号：
FDD5N50NZTMCT-ND
别名：FDD5N50NZTMCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 48W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRLU120NPBF
仓库库存编号：
IRLU120NPBF-ND
别名：*IRLU120NPBF
SP001567330
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 48W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL520NPBF
仓库库存编号：
IRL520NPBF-ND
别名：*IRL520NPBF
SP001558080
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 78W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP5N50NZ
仓库库存编号：
FDP5N50NZ-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 3.6A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7306TR
仓库库存编号：
IRF7306TR-ND
别名：SP001551228
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 3.6A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7306TRPBF
仓库库存编号：
IRF7306PBFCT-ND
别名：*IRF7306TRPBF
IRF7306PBFCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.6A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7326D2TRPBF
仓库库存编号：
IRF7326D2TRPBFCT-ND
别名：IRF7326D2TRPBFCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 30W（Tc） TO-220F
型号：
FDPF5N50NZ
仓库库存编号：
FDPF5N50NZ-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.9A（Tc） 96W（Tc） DPAK
型号：
NDD03N80ZT4G
仓库库存编号：
NDD03N80ZT4GOSCT-ND
别名：NDD03N80ZT4GOSCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-223
型号：
NVF3055L108T1G
仓库库存编号：
NVF3055L108T1GOSCT-ND
别名：NVF3055L108T1GOSCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Tc） 2.7W（Tc） SOT-223-4
型号：
IRLM120ATF
仓库库存编号：
IRLM120ATF-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 1.5W（Ta），48W（Tj） DPAK-3
型号：
STDV3055L104T4G
仓库库存编号：
STDV3055L104T4G-ND
别名：NTDV3055L104T4G
NTDV3055L104T4G-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 2.9A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 2.9A（Tc） 96W（Tc） I-Pak
型号：
NDD03N80Z-1G
仓库库存编号：
NDD03N80Z-1G-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 2A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP2N80P
仓库库存编号：
IXTP2N80P-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 2A TO-252AA
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 70W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
IXTY2N80P
仓库库存编号：
IXTY2N80P-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 2A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 70W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA2N80P
仓库库存编号：
IXTA2N80P-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 70W（Tc） TO-251
型号：
IXTU2N80P
仓库库存编号：
IXTU2N80P-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 2A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP2N80
仓库库存编号：
IXTP2N80-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 2A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 54W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA2N80
仓库库存编号：
IXTA2N80-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
无铅
搜索
1
2
3
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
