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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） 48W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
AUIRLR120NTRL
仓库库存编号：
AUIRLR120NTRL-ND
别名：SP001516016
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） D2PAK
型号：
IRL520NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRL520NSTRLPBF-ND
别名：SP001567056
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 3A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-223
型号：
NTF3055L108T3LF
仓库库存编号：
NTF3055L108T3LFOS-ND
别名：NTF3055L108T3LFOS
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 15A（Tc） 48.4W（Tc） D2PAK
型号：
NTB18N06LT4
仓库库存编号：
NTB18N06LT4OS-ND
别名：NTB18N06LT4OS
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 15A（Ta） 1.5W（Ta），48W（Tj） DPAK-3
型号：
NTD15N06LT4
仓库库存编号：
NTD15N06LT4OS-ND
别名：NTD15N06LT4OS
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 15A（Tc） 48.4W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP18N06L
仓库库存编号：
NTP18N06LOS-ND
别名：NTP18N06LOS
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 60V 15A（Ta） 1.5W（Ta），48W（Tj） I-Pak
型号：
NTD15N06L-001
仓库库存编号：
NTD15N06L-001OS-ND
别名：NTD15N06L-001OS
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 3A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-223
型号：
NTF3055L108T3LFG
仓库库存编号：
NTF3055L108T3LFGOS-ND
别名：NTF3055L108T3LFGOS
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 15A（Tc） 48.4W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP18N06LG
仓库库存编号：
NTP18N06LGOS-ND
别名：NTP18N06LGOS
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 15A（Tc） 48.4W（Tc） D2PAK
型号：
NTB18N06L
仓库库存编号：
NTB18N06L-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 12A（Ta） 1.5W（Ta），48W（Tj） DPAK
型号：
NTD3055L104
仓库库存编号：
NTD3055L104-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 15A（Tc） 48.4W（Tc） D2PAK
型号：
NTB18N06LT4G
仓库库存编号：
NTB18N06LT4GOSCT-ND
别名：NTB18N06LT4GOSCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 8.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 8.4A（Tc） 2.5W（Ta），35W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR120ATF
仓库库存编号：
IRLR120ATF-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 60V 12A（Ta） 1.5W（Ta），48W（Tj） I-Pak
型号：
NTDV3055L104-1G
仓库库存编号：
NTDV3055L104-1G-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 6A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 500V 6A（Ta） 28.5W（Tc） TO-220FP
型号：
RJK5026DPP-E0#T2
仓库库存编号：
RJK5026DPP-E0#T2-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 6A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 500V 6A（Ta） 28.5W（Tc） TO-220FL
型号：
RJK5026DPP-M0#T2
仓库库存编号：
RJK5026DPP-M0#T2-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 5A LDPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 5A（Ta） 62.5W（Tc） 4-LDPAK
型号：
RJK6026DPE-00#J3
仓库库存编号：
RJK6026DPE-00#J3-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 100V 8.1A（Tc） 30W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRLI520N
仓库库存编号：
IRLI520N-ND
别名：*IRLI520N
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3.6A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7326D2TR
仓库库存编号：
IRF7326D2CT-ND
别名：IRF7326D2CT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） D2PAK
型号：
IRL520NS
仓库库存编号：
IRL520NS-ND
别名：*IRL520NS
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） D2PAK
型号：
IRL520NSTRL
仓库库存编号：
IRL520NSTRL-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 10A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） TO-262
型号：
IRL520NL
仓库库存编号：
IRL520NL-ND
别名：*IRL520NL
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） D2PAK
型号：
IRL520NSTRR
仓库库存编号：
IRL520NSTRR-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） 48W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR120NTRR
仓库库存编号：
IRLR120NTRR-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.7A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 700mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
SPN03N60S5
仓库库存编号：
SPN03N60S5-ND
别名：SP000012413
SP000101881
SPN03N60S5T
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 440pF @ 25V,
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