规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2280pF @ 25V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 40V 110A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 1.6W(Ta) PowerDI5060-8
型号:
DMNH4006SPSQ-13
仓库库存编号:
DMNH4006SPSQ-13DICT-ND
别名:DMNH4006SPSQ-13DICT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2280pF @ 25V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 40V 20A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),140A(Tc) 2.2W(Ta) TO-252,(D-Pak)
型号:
DMNH4006SK3Q-13
仓库库存编号:
DMNH4006SK3Q-13DICT-ND
别名:DMNH4006SK3Q-13DICT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2280pF @ 25V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 40V 18A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta),90A(Tc) 2.2W(Ta) TO-252,(D-Pak)
型号:
DMNH4006SK3-13
仓库库存编号:
DMNH4006SK3-13DICT-ND
别名:DMNH4006SK3-13DICT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2280pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 5.2A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 900V 5.2A(Tc) 107W(Tc) TO-3PF
型号:
FQAF7N90
仓库库存编号:
FQAF7N90-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2280pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 7.4A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 7.4A(Tc) 198W(Tc) TO-3P
型号:
FQA7N90
仓库库存编号:
FQA7N90-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2280pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 7.4A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 7.4A(Tc) 198W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA7N90_F109
仓库库存编号:
FQA7N90_F109-ND
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