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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 100V 24A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 1.6W（Ta），48W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH1400ANH,L1Q
  仓库库存编号：TPH1400ANHL1QCT-ND
  别名：TPH1400ANHL1QCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1900pF @ 50V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15.5A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB19NM65N
  仓库库存编号：497-7001-1-ND
  别名：497-7001-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1900pF @ 50V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 15.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 15.5A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP19NM65N
  仓库库存编号：497-7025-5-ND
  别名：497-7025-5
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1900pF @ 50V,
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  MOSFET N-CH 600V 17A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 17A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF21NM60N
  仓库库存编号：497-5004-5-ND
  别名：497-5004-5
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1900pF @ 50V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 17A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 17A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP21NM60N
  仓库库存编号：497-5019-5-ND
  别名：497-5019-5
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1900pF @ 50V,
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  MOSFET N-CH 600V 17A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 17A（Tc） 140W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW21NM60N
  仓库库存编号：497-5024-5-ND
  别名：497-5024-5
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1900pF @ 50V,
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  MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 17A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB21NM60N
  仓库库存编号：497-5002-1-ND
  别名：497-5002-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1900pF @ 50V,
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  MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 17A（Tc） 140W（Tc） I2PAK
  
  型号：STB21NM60N-1
  仓库库存编号：497-5728-ND
  别名：497-5728
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1900pF @ 50V,
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  MOSFET N-CH 650V 15.5A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 15.5A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW19NM65N
  仓库库存编号：497-7033-5-ND
  别名：497-7033-5
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1900pF @ 50V,
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  MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 12A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB15NM65N
  仓库库存编号：497-7936-1-ND
  别名：497-7936-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1900pF @ 50V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 15.5A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 15.5A（Tc） 150W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI19NM65N
  仓库库存编号：STI19NM65N-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1900pF @ 50V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 15.5A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 15.5A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF19NM65N
  仓库库存编号：STF19NM65N-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1900pF @ 50V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.4A（Ta），63A（Tc） 114W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC152N10NSFGATMA1
  仓库库存编号：BSC152N10NSFGATMA1TR-ND
  别名：BSC152N10NSF G
  BSC152N10NSF G-ND
  SP000379601
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1900pF @ 50V,
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