规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2900pF @ 30V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.2A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4421
仓库库存编号:
785-1025-1-ND
别名:785-1025-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2900pF @ 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 71W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP093N06N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP093N06N3GXKSA1-ND
别名:IPP093N06N3 G
IPP093N06N3 G-ND
IPP093N06N3G
SP000680852
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2900pF @ 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 71W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB090N06N3 G
仓库库存编号:
IPB090N06N3 GCT-ND
别名:IPB090N06N3 GCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2900pF @ 30V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 6.2A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
AO4421L
仓库库存编号:
AO4421L-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2900pF @ 30V,
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