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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ14STRLPBF
仓库库存编号：
IRLZ14STRLPBF-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ14STRRPBF
仓库库存编号：
IRLZ14STRRPBF-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
型号：
IRLU014
仓库库存编号：
IRLU014-ND
别名：*IRLU014
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR014TR
仓库库存编号：
IRLR014TR-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR014TRL
仓库库存编号：
IRLR014TRL-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Tc） 54W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA1N100
仓库库存编号：
IXTA1N100-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 2.8A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
型号：
AUIRFL024NTR
仓库库存编号：
AUIRFL024NTR-ND
别名：SP001519268
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3-1
型号：
SPD03N60C3ATMA1
仓库库存编号：
SPD03N60C3ATMA1-ND
别名：SP001117760
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO251-3
型号：
SPS03N60C3BKMA1
仓库库存编号：
SPS03N60C3BKMA1-ND
别名：SP000235877
SP000307418
SPS03N60C3
SPS03N60C3-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 650V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO251-3
型号：
SPU03N60C3BKMA1
仓库库存编号：
SPU03N60C3BKMA1-ND
别名：SP000095849
SPU03N60C3
SPU03N60C3-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 8A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 8A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
型号：
STP8NM60
仓库库存编号：
497-5397-5-ND
别名：497-5397-5
STP8NM60-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 20A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 60V 20A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
型号：
STP20NF06
仓库库存编号：
497-4374-5-ND
别名：497-4374-5
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 3.8A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 500V 3.8A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
型号：
STP4NB50
仓库库存编号：
497-2719-5-ND
别名：497-2719-5
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 60V 20A（Tc） 28W（Tc） TO-220FP
型号：
STF20NF06
仓库库存编号：
497-4340-5-ND
别名：497-4340-5
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 8A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 650V 8A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
型号：
STP8NM60FP
仓库库存编号：
STP8NM60FP-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 20A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 60V 20A（Tc） 28W（Tc） TO-220FP
型号：
STF20NF06L
仓库库存编号：
STF20NF06L-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 60V 1.7A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRLD014
仓库库存编号：
IRLD014-ND
别名：*IRLD014
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 10A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRLZ14
仓库库存编号：
IRLZ14-ND
别名：*IRLZ14
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.7A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
型号：
IRLL014
仓库库存编号：
IRLL014-ND
别名：*IRLL014
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.7A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
型号：
IRLL014TR
仓库库存编号：
IRLL014TR-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 60V 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） TO-262-3
型号：
IRLZ14L
仓库库存编号：
IRLZ14L-ND
别名：*IRLZ14L
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ14S
仓库库存编号：
IRLZ14S-ND
别名：*IRLZ14S
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 60V 8A（Tc） 27W（Tc） TO-220-3
型号：
IRLIZ14G
仓库库存编号：
IRLIZ14G-ND
别名：*IRLIZ14G
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR014TRR
仓库库存编号：
IRLR014TRR-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ14STRL
仓库库存编号：
IRLZ14STRL-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 400pF @ 25V,
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