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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 200A PWRPAK 8X8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 150W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SQJQ410EL-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJQ410EL-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJQ410EL-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 14500pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 200A PWRPAK 8X8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 150W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SQJQ100EL-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJQ100EL-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJQ100EL-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 14500pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 200V 32A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 32A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP32P20T
  仓库库存编号：IXTP32P20T-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 14500pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 200V 32A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 32A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA32P20T
  仓库库存编号：IXTA32P20T-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 14500pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 200V 32A TO-247
  详细描述：通孔 P 沟道 32A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH32P20T
  仓库库存编号：IXTH32P20T-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 14500pF @ 25V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 300V 130A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN130N30
  仓库库存编号：IXFN130N30-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 14500pF @ 25V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 55A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 600V 55A（Tc） 568W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT60M80JVR
  仓库库存编号：APT60M80JVR-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 14500pF @ 25V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 120A（Tc） 324W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK961R5-30E,118
  仓库库存编号：568-10172-1-ND
  别名：568-10172-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 14500pF @ 25V,
• 不受无铅要求限制
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