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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 1.6W（Ta），78W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH2R306NH,L1Q
  仓库库存编号：TPH2R306NHL1QCT-ND
  别名：TPH2R306NHL1QCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6100pF @ 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP050N06N G
  仓库库存编号：IPP050N06NGIN-ND
  别名：IPP050N06N G-ND
  IPP050N06NGIN
  IPP050N06NGX
  IPP050N06NGXK
  SP000204169
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6100pF @ 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB050N06NGATMA1
  仓库库存编号：IPB050N06NGATMA1CT-ND
  别名：IPB050N06NG
  IPB050N06NGINCT
  IPB050N06NGINCT-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6100pF @ 30V,
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