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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9014TR
  仓库库存编号：IRFR9014TR-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9014TRL
  仓库库存编号：IRFR9014TRL-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 400V 1.8A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9310
  仓库库存编号：IRFR9310-ND
  别名：*IRFR9310
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 400V 1.8A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9310TR
  仓库库存编号：IRFR9310TR-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 5.1A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU9014
  仓库库存编号：IRFU9014-ND
  别名：*IRFU9014
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 400V 1.8A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 400V 1.8A（Tc） 50W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU9310
  仓库库存编号：IRFU9310-ND
  别名：*IRFU9310
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-262
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 6.7A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF9Z14L
  仓库库存编号：IRF9Z14L-ND
  别名：*IRF9Z14L
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 6.7A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9Z14STRL
  仓库库存编号：IRF9Z14STRL-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 6.7A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9Z14STRR
  仓库库存编号：IRF9Z14STRR-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220FP
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 5.3A（Tc） 27W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI9Z14G
  仓库库存编号：IRFI9Z14G-ND
  别名：*IRFI9Z14G
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9014NTRL
  仓库库存编号：IRFR9014NTRL-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9014NTR
  仓库库存编号：IRFR9014NTR-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9014NTRR
  仓库库存编号：IRFR9014NTRR-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9014TRR
  仓库库存编号：IRFR9014TRR-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 400V 1.8A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9310TRL
  仓库库存编号：IRFR9310TRL-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 25V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 400V 1.8A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9310TRR
  仓库库存编号：IRFR9310TRR-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 25V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-223（TO-261）
  
  型号：NTF3055L175T3LF
  仓库库存编号：NTF3055L175T3LFOS-ND
  别名：NTF3055L175T3LFOS
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 25V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-223（TO-261）
  
  型号：NTF3055L175T1
  仓库库存编号：NTF3055L175T1OS-ND
  别名：NTF3055L175T1OS
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 3.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 3.5A（Tc） 32W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF5N20
  仓库库存编号：FQPF5N20-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 4.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 4.5A（Tc） 52W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP5N20
  仓库库存编号：FQP5N20-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 5A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF6N15
  仓库库存编号：FQPF6N15-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 25V,
• 无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 6.4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 6.4A（Tc） 63W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP6N15
  仓库库存编号：FQP6N15-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 3.8A（Tc） 2.5W（Ta），37W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD5N20TF
  仓库库存编号：FQD5N20TF-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 4.5A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 4.5A（Tc） 3.13W（Ta），52W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI5N20TU
  仓库库存编号：FQI5N20TU-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 6.4A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 6.4A（Tc） 3.75W（Ta），63W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI6N15TU
  仓库库存编号：FQI6N15TU-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 25V,
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