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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 6.4A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 6.4A（Tc） 3.75W（Ta），63W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB6N15TM
  仓库库存编号：FQB6N15TM-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 4.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 4.5A（Tc） 3.13W（Ta），52W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB5N20TM
  仓库库存编号：FQB5N20TM-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 25V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 80V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 2.5W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：HUFA76504DK8T
  仓库库存编号：HUFA76504DK8T-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 25V,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-223（TO-261）
  
  型号：NTF3055L175T3
  仓库库存编号：NTF3055L175T3-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 25V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 2A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-223（TO-261）
  
  型号：NTF3055L175T1G
  仓库库存编号：NTF3055L175T1GOSCT-ND
  别名：NTF3055L175T1GOSCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 25V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 400V 1.8A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9310TRRPBF
  仓库库存编号：IRFR9310TRRPBF-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 25V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12.5A（Tc） 12.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM500N03CP ROG
  仓库库存编号：TSM500N03CP ROGTR-ND
  别名：TSM500N03CP ROGTR
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 25V,
• 无铅
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12.5A（Tc） 12.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM500N03CP ROG
  仓库库存编号：TSM500N03CP ROGCT-ND
  别名：TSM500N03CP ROGCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 25V,
• 无铅
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12.5A（Tc） 12.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM500N03CP ROG
  仓库库存编号：TSM500N03CP ROGDKR-ND
  别名：TSM500N03CP ROGDKR
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 25V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9014N
  仓库库存编号：IRFR9014N-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 5.1A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU9014N
  仓库库存编号：IRFU9014N-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 25V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.6A 1.5W Surface Mount 6-PQFN (2x2)
  
  型号：IRLHS6376TR2PBF
  仓库库存编号：IRLHS6376TR2PBFCT-ND
  别名：IRLHS6376TR2PBFCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 270pF @ 25V,
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