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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.3A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR110TRPBF
仓库库存编号:
IRFR110PBFCT-ND
别名:*IRFR110TRPBF
IRFR110PBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 180pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223
型号:
IRFL110TRPBF
仓库库存编号:
IRFL110PBFCT-ND
别名:*IRFL110TRPBF
IRFL110PBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 180pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 1A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD110PBF
仓库库存编号:
IRFD110PBF-ND
别名:*IRFD110PBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 180pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 4.3A(Tc) 25W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU110PBF
仓库库存编号:
IRFU110PBF-ND
别名:*IRFU110PBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 180pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 5.6A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF510PBF
仓库库存编号:
IRF510PBF-ND
别名:*IRF510PBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 180pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.6A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRF510SPBF
仓库库存编号:
IRF510SPBF-ND
别名:*IRF510SPBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 180pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 27W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI510GPBF
仓库库存编号:
IRFI510GPBF-ND
别名:*IRFI510GPBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 180pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.7A 1.25W Surface Mount Micro8?
型号:
IRF7506TRPBF
仓库库存编号:
IRF7506TRPBFCT-ND
别名:IRF7506TRPBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 180pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 1.25W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7526D1TRPBF
仓库库存编号:
IRF7526D1TRPBFCT-ND
别名:IRF7526D1TRPBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 180pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.6A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
IRF510STRRPBF
仓库库存编号:
IRF510STRRPBFCT-ND
别名:IRF510STRRPBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 180pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 2A X2 TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 55W(Tc) TO-252
型号:
IXTY2N65X2
仓库库存编号:
IXTY2N65X2-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 180pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 2A X2 TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 55W(Tc) TO-220
型号:
IXTP2N65X2
仓库库存编号:
IXTP2N65X2-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 180pF @ 25V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 250V 3A, 2.5A 650mW Surface Mount 8-SOP
型号:
SP8M70TB1
仓库库存编号:
SP8M70TB1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 180pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 2A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 2A(Tc) 27W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9610GPBF
仓库库存编号:
IRFI9610GPBF-ND
别名:*IRFI9610GPBF
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 180pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 5.6A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF510
仓库库存编号:
IRF510-ND
别名:*IRF510
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 180pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 1A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD110
仓库库存编号:
IRFD110-ND
别名:*IRFD110
IRFD111
IRFD112
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 180pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.3A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR110
仓库库存编号:
IRFR110-ND
别名:*IRFR110
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 180pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 5.6A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRF510S
仓库库存编号:
IRF510S-ND
别名:*IRF510S
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 180pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 4.5A(Tc) 27W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI510G
仓库库存编号:
IRFI510G-ND
别名:*IRFI510G
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 180pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.5A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223
型号:
IRFL110
仓库库存编号:
IRFL110-ND
别名:*IRFL110
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 180pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.5A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223
型号:
IRFL110TR
仓库库存编号:
IRFL110TR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 180pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.3A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR110TR
仓库库存编号:
IRFR110TR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 180pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 4.3A(Tc) 25W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU110
仓库库存编号:
IRFU110-ND
别名:*IRFU110
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 180pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 5.6A(Tc) TO-262-3
型号:
IRF510L
仓库库存编号:
IRF510L-ND
别名:*IRF510L
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 180pF @ 25V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 5.6A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRF510STRL
仓库库存编号:
IRF510STRL-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 180pF @ 25V,
含铅
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