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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Ta） 2.4W（Ta） SOT-223-4
型号：
IRFM120ATF
仓库库存编号：
IRFM120ATFCT-ND
别名：IRFM120ATFCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 480pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 45W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR024NTRPBF
仓库库存编号：
IRLR024NPBFCT-ND
别名：*IRLR024NTRPBF
IRLR024NPBFCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 480pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 45W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRLU024NPBF
仓库库存编号：
IRLU024NPBF-ND
别名：*IRLU024NPBF
64-4164PBF
64-4164PBF-ND
SP001553260
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 480pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ24NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRLZ24NSTRLPBFCT-ND
别名：IRLZ24NSTRLPBFCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 480pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 18A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
型号：
IRLZ24NPBF
仓库库存编号：
IRLZ24NPBF-ND
别名：*IRLZ24NPBF
SP001553022
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 480pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 9.7A（Tc） 40W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9Z20PBF
仓库库存编号：
IRF9Z20PBF-ND
别名：*IRF9Z20PBF
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 480pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.6A（Ta），19A（Tc） 3.5W（Ta），42W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS6B85NLT3G
仓库库存编号：
NVMFS6B85NLT3G-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 480pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.6A（Ta），19A（Tc） 3.5W（Ta），42W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS6B85NLT1G
仓库库存编号：
NVMFS6B85NLT1G-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 480pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.6A（Ta），19A（Tc） 3.5W（Ta），42W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS6B85NLWFT3G
仓库库存编号：
NVMFS6B85NLWFT3G-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 480pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 5A (Tc) 3.3W Surface Mount 8-SOIC
型号：
SQ4937EY-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ4937EY-T1_GE3-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 480pF @ 25V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.6A（Ta），19A（Tc） 3.5W（Ta），42W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS6B85NLWFT1G
仓库库存编号：
NVMFS6B85NLWFT1G-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 480pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 9.7A（Tc） 40W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9Z20
仓库库存编号：
IRF9Z20-ND
别名：*IRF9Z20
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 480pF @ 25V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1.5A（Tc） 60W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH1N100
仓库库存编号：
IXTH1N100-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 480pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 45W（Tc） D-Pak
型号：
AUIRLR024NTRL
仓库库存编号：
AUIRLR024NTRL-ND
别名：SP001517694
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 480pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V AUTO
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 18A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRLZ24NS
仓库库存编号：
AUIRLZ24NS-ND
别名：SP001518210
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 480pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V D2-PAK AUTO
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 18A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRLZ24NSTRL
仓库库存编号：
AUIRLZ24NSTRL-ND
别名：SP001516890
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 480pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 6A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 6A（Tc） 1.75W（Ta），50W（Tc） DPAK
型号：
MTD6N20ET4
仓库库存编号：
MTD6N20ET4OSCT-ND
别名：MTD6N20ET4OSCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 480pF @ 25V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 6A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 6A（Tc） 1.75W（Ta），50W（Tc） DPAK-3
型号：
MTD6N20ET4G
仓库库存编号：
MTD6N20ET4GOSCT-ND
别名：MTD6N20ET4GOSCT
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 480pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 1.5A（Tc） 60W（Tc） TO-268
型号：
IXTT1N100
仓库库存编号：
IXTT1N100-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 480pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 8.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 8.4A（Tc） 2.5W（Ta），32W（Tc） TO-252AA
型号：
IRFR120ATM
仓库库存编号：
IRFR120ATM-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 480pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 8.4A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 100V 8.4A（Tc） 2.5W（Ta），32W（Tc） I-Pak
型号：
IRFU120ATU
仓库库存编号：
IRFU120ATU-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 480pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 6A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 6A（Tc） 1.75W（Ta），50W（Tc） DPAK-3
型号：
MTD6N20ET5G
仓库库存编号：
MTD6N20ET5G-ND
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 480pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 17A（Tc） 45W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU024N
仓库库存编号：
IRLU024N-ND
别名：*IRLU024N
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 480pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 18A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ24NS
仓库库存编号：
IRLZ24NS-ND
别名：*IRLZ24NS
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 480pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 18A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 18A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） TO-262
型号：
IRLZ24NL
仓库库存编号：
IRLZ24NL-ND
别名：*IRLZ24NL
规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 480pF @ 25V,
含铅
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