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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 49W（Tc） PG-TO-252
  
  型号：IPD60R1K5CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD60R1K5CEAUMA1TR-ND
  别名：IPD60R1K5CEAUMA1-ND
  IPD60R1K5CEAUMA1TR
  SP001396902
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 200pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 49W（Tc） PG-TO-252
  
  型号：IPD60R1K5CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD60R1K5CEAUMA1CT-ND
  别名：IPD60R1K5CEAUMA1CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 200pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 49W（Tc） PG-TO-252
  
  型号：IPD60R1K5CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD60R1K5CEAUMA1DKR-ND
  别名：IPD60R1K5CEAUMA1DKR
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 200pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R1K4C6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R1K4C6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R1K4C6ATMA1CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 200pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 3.2A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R1K4C6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R1K4C6XKSA1-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 200pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R1K4C6
  仓库库存编号：IPD60R1K4C6CT-ND
  别名：IPD60R1K4C6CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 200pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.1A（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU60R1K5CEAKMA1
  仓库库存编号：IPU60R1K5CEAKMA1-ND
  别名：SP001369534
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 200pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 3.1A TO-251-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.1A（Tc） 49W（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPU60R1K5CEAKMA2
  仓库库存编号：IPU60R1K5CEAKMA2-ND
  别名：SP001396898
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 200pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPU60R1K4C6AKMA1
  仓库库存编号：IPU60R1K4C6AKMA1-ND
  别名：SP001292874
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 200pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3A（Tc） 26.6W（Tc） Thin-PAK（5x6）
  
  型号：IPL60R1K5C6SATMA1
  仓库库存编号：IPL60R1K5C6SATMA1-ND
  别名：SP001163010
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 200pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 5A（Tc） 20W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R1K5CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R1K5CEXKSA1-ND
  别名：SP001429420
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 200pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.1A（Tc） 28W（Tc） TO-252-3
  
  型号：IPD60R1K5CEATMA1
  仓库库存编号：IPD60R1K5CEATMA1CT-ND
  别名：IPD60R1K5CEATMA1CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 200pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.1A（Tc） 28W（Tc） TO-251
  
  型号：IPU60R1K5CEBKMA1
  仓库库存编号：IPU60R1K5CEBKMA1-ND
  别名：SP001276062
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 200pF @ 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 600V 3.2A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 28.4W（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPU60R1K4C6BKMA1
  仓库库存编号：IPU60R1K4C6BKMA1-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 200pF @ 100V,
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