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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 36W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD30N06S4L23ATMA2
仓库库存编号:
IPD30N06S4L23ATMA2CT-ND
别名:IPD30N06S4L23ATMA2CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1560pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7855TRPBF
仓库库存编号:
IRF7855TRPBFCT-ND
别名:IRF7855TRPBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1560pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 48W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
IPZ40N04S5L4R8ATMA1
仓库库存编号:
IPZ40N04S5L4R8ATMA1CT-ND
别名:IPZ40N04S5L4R8ATMA1CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1560pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 10A 3.1W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号:
NVMFD5873NLT1G
仓库库存编号:
NVMFD5873NLT1G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1560pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 10A 3.1W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号:
NVMFD5873NLWFT1G
仓库库存编号:
NVMFD5873NLWFT1G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1560pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 18A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF640
仓库库存编号:
497-2759-5-ND
别名:497-2759-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1560pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 200V 18A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP
型号:
IRF640FP
仓库库存编号:
IRF640FP-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1560pF @ 25V,
无铅
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Trinamic Motion Control GmbH
MOSFET N/P-CH 60V TO252-4
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 60V 6.6A, 4.7A 3.13W Surface Mount TO-252-4L
型号:
TMC1620-TO
仓库库存编号:
1460-1140-1-ND
别名:1460-1140-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1560pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 30A(Tc) 36W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N06S4L23ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N06S4L23ATMA1TR-ND
别名:IPD30N06S4L-23
IPD30N06S4L-23-ND
SP000374320
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1560pF @ 25V,
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