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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD50N03S2L06GBTMA1
仓库库存编号:
SPD50N03S2L06GBTMA1CT-ND
别名:SPD50N03S2L-06 GCT
SPD50N03S2L-06 GCT-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2530pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD50N03S2L06T
仓库库存编号:
SPD50N03S2L06XTINCT-ND
别名:SPD50N03S2L06XTINCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2530pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP450P2
仓库库存编号:
IXTP450P2-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2530pF @ 25V,
不受无铅要求限制
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 300W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ450P2
仓库库存编号:
IXTQ450P2-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2530pF @ 25V,
不受无铅要求限制
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH450P2
仓库库存编号:
IXTH450P2-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2530pF @ 25V,
不受无铅要求限制
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 15A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 15A(Tc) 2.7W(Tc) 8-SO
型号:
STS15N4LLF3
仓库库存编号:
497-8488-1-ND
别名:497-8488-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2530pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A POWERFLAT6X5
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 80W(Tc) PowerFlat?(6x5)
型号:
STL80N4LLF3
仓库库存编号:
497-8486-1-ND
别名:497-8486-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2530pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 4000V 1A ISOPLUS I4
详细描述:通孔 N 沟道 4000V 1A(Tc) 160W(Tc) ISOPLUS i4-PAC?
型号:
IXTF1N400
仓库库存编号:
IXTF1N400-ND
别名:Q5597315
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2530pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N03S2L-06
仓库库存编号:
SPP80N03S2L-06IN-ND
别名:SP000014061
SPP80N03S2L-06IN
SPP80N03S2L-06XTIN
SPP80N03S2L-06XTIN-ND
SPP80N03S2L06X
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2530pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2L-06
仓库库存编号:
SPB80N03S2L06INCT-ND
别名:SPB80N03S2L06INCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2530pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30N03S2L-07
仓库库存编号:
SPD30N03S2L07INCT-ND
别名:SPD30N03S2L07
SPD30N03S2L07INCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2530pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD50N03S2L-06
仓库库存编号:
SPD50N03S2L06INCT-ND
别名:SPD50N03S2L06
SPD50N03S2L06INCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2530pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2L06T
仓库库存编号:
SPB80N03S2L06T-ND
别名:SP000016264
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2530pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30N03S2L07T
仓库库存编号:
SPD30N03S2L07T-ND
别名:SP000013749
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2530pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2L-06 G
仓库库存编号:
SPB80N03S2L-06 G-ND
别名:SP000200145
SPB80N03S2L06GXT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2530pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI80N03S2L-06
仓库库存编号:
SPI80N03S2L-06-ND
别名:SP000016265
SPI80N03S2L06X
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2530pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30N03S2L07GBTMA1
仓库库存编号:
SPD30N03S2L07GBTMA1TR-ND
别名:SP000443922
SPD30N03S2L-07 G
SPD30N03S2L-07 G-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2530pF @ 25V,
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