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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 73A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 73A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD096N08N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD096N08N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD096N08N3GATMA1CT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2410pF @ 40V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 100W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP100N08N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP100N08N3GXKSA1-ND
  别名：IPP100N08N3 G
  IPP100N08N3 G-ND
  IPP100N08N3G
  SP000680856
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2410pF @ 40V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 40A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 40A（Tc） 35W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA100N08N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPA100N08N3GXKSA1-ND
  别名：IPA00N08N3GXKSA1-ND
  IPA1-ND00N08N3GXKSA1-ND
  IPA100N08N3 G
  IPA100N08N3 G-ND
  IPA100N08N3G
  SP000473900
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2410pF @ 40V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 80V 54A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 10A（Ta），54A（Tc） 3.1W（Ta），150W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD4180
  仓库库存编号：785-1219-1-ND
  别名：785-1219-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2410pF @ 40V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 73A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD096N08N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD096N08N3GBTMA1TR-ND
  别名：IPD096N08N3 G
  IPD096N08N3 G-ND
  SP000474196
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2410pF @ 40V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 70A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 70A（Tc） 100W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI100N08N3GHKSA1
  仓库库存编号：IPI100N08N3GHKSA1-ND
  别名：IPI100N08N3 G
  IPI100N08N3 G-ND
  SP000474192
  SP000680710
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2410pF @ 40V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 50A（Tc） 100W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU103N08N3 G
  仓库库存编号：IPU103N08N3 G-ND
  别名：SP000521640
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2410pF @ 40V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 70A（Tc） 100W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB097N08N3 G
  仓库库存编号：IPB097N08N3 GCT-ND
  别名：IPB097N08N3 GCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2410pF @ 40V,
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