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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB160N04S3-H2
  仓库库存编号：IPB160N04S3H2ATMA1CT-ND
  别名：IPB160N04S3-H2CT
  IPB160N04S3-H2CT-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9600pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB100N04S3-03
  仓库库存编号：IPB100N04S303ATMA1CT-ND
  别名：IPB100N04S3-03CT
  IPB100N04S3-03CT-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9600pF @ 25V,
• 无铅
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 82A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 82A（Tc） 1.8W（Ta），143W（Tc） TO-263
  
  型号：NP82N055PUG-E1-AY
  仓库库存编号：NP82N055PUG-E1-AYTR-ND
  别名：NP82N055PUG-E1-AY-ND
  NP82N055PUG-E1-AYTR
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9600pF @ 25V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP100N04S303AKSA1
  仓库库存编号：IPP100N04S303AKSA1-ND
  别名：IPP100N04S3-03
  IPP100N04S3-03-ND
  IPP100N04S303
  SP000261227
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9600pF @ 25V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI100N04S303AKSA1
  仓库库存编号：IPI100N04S303AKSA1-ND
  别名：IPI100N04S3-03
  IPI100N04S3-03-ND
  SP000261223
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9600pF @ 25V,
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