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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 115W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB054N06N3 G
  仓库库存编号：IPB054N06N3 GCT-ND
  别名：IPB054N06N3 GCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6600pF @ 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 60A TO220-3-31
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 38W（Tc） PG-TO220-3-31 整包
  
  型号：IPA057N06N3 G
  仓库库存编号：IPA057N06N3 G-ND
  别名：IPA057N06N3G
  IPA057N06N3GXKSA1
  SP000457582
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6600pF @ 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 115W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP057N06N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP057N06N3GXKSA1-ND
  别名：IPP057N06N3 G
  IPP057N06N3 G-ND
  IPP057N06N3G
  SP000680808
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6600pF @ 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 115W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD053N06N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD053N06N3GBTMA1CT-ND
  别名：IPD053N06N3 GCT
  IPD053N06N3 GCT-ND
  IPD053N06N3G
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6600pF @ 30V,
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