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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3-11
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPDH4N03LAG
  仓库库存编号：IPDH4N03LAGINCT-ND
  别名：IPDH4N03LAGINCT
  IPDH4N03LAGXTINCT
  IPDH4N03LAGXTINCT-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3200pF @ 15V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP055N03LGXKSA1
  仓库库存编号：IPP055N03LGXKSA1-ND
  别名：IPP055N03L G
  IPP055N03LGIN
  IPP055N03LGIN-ND
  IPP055N03LGXK
  SP000680806
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3200pF @ 15V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
  
  型号：RQ3E120ATTB
  仓库库存编号：RQ3E120ATTBCT-ND
  别名：RQ3E120ATTBCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3200pF @ 15V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD050N03LGATMA1
  仓库库存编号：IPD050N03LGATMA1CT-ND
  别名：IPD050N03LGINCT
  IPD050N03LGINCT-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3200pF @ 15V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD050N03LGBTMA1
  仓库库存编号：IPD050N03LGBTMA1-ND
  别名：SP000254716
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3200pF @ 15V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB055N03LGATMA1
  仓库库存编号：IPB055N03LGATMA1TR-ND
  别名：IPB055N03L G
  IPB055N03LGINTR
  IPB055N03LGINTR-ND
  IPB055N03LGXT
  SP000304110
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3200pF @ 15V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD05N03LB G
  仓库库存编号：IPD05N03LB G-ND
  别名：IPD05N03LBGXT
  SP000016410
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3200pF @ 15V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 94W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS05N03LB G
  仓库库存编号：IPS05N03LB G-ND
  别名：IPS05N03LBGX
  SP000220140
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3200pF @ 15V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 90A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 90A（Tc） 94W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPSH4N03LA G
  仓库库存编号：IPSH4N03LA G-ND
  别名：IPSH4N03LAGX
  SP000016331
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3200pF @ 15V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS050N03LGAKMA1
  仓库库存编号：IPS050N03LGAKMA1-ND
  别名：IPS050N03L G
  IPS050N03LGIN
  IPS050N03LGIN-ND
  IPS050N03LGXK
  SP000810848
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3200pF @ 15V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU050N03L G
  仓库库存编号：IPU050N03LGIN-ND
  别名：IPU050N03LGIN
  IPU050N03LGXK
  SP000271468
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3200pF @ 15V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 34V 19A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34V 19A（Ta），98A（Tc） 2.5W（Ta），57W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC883N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSC883N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSC883N03MS GCT
  BSC883N03MS GCT-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3200pF @ 15V,
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