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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 115W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD04N03LB G
  仓库库存编号：IPD04N03LBGINCT-ND
  别名：IPD04N03LBG
  IPD04N03LBGINCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5200pF @ 15V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 90A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 115W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD03N03LA G
  仓库库存编号：IPD03N03LAGINCT-ND
  别名：IPD03N03LAG
  IPD03N03LAGINCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5200pF @ 15V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 23A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），160A（Tc） 160W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB8870
  仓库库存编号：FDB8870FSCT-ND
  别名：FDB8870FSCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5200pF @ 15V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 156A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Ta），156A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP8870_F085
  仓库库存编号：FDP8870_F085-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5200pF @ 15V,
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  无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Ta），156A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP8870
  仓库库存编号：FDP8870-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5200pF @ 15V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 75A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 36A（Ta），75A（Tc） 4.2W（Ta），34W（Tc） 8-DFN-EP（3.3x3.3）
  
  型号：AON7758
  仓库库存编号：785-1680-1-ND
  别名：785-1680-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5200pF @ 15V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 75A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 36A（Ta），75A（Tc） 4.2W（Ta），34W（Tc） 8-DFN-EP（3.3x3.3）
  
  型号：AON7758_001
  仓库库存编号：AON7758_001-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5200pF @ 15V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 90A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 90A（Tc） 115W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS03N03LA G
  仓库库存编号：IPS03N03LA G-ND
  别名：IPS03N03LAGX
  SP000016404
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5200pF @ 15V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 115W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS03N03LB G
  仓库库存编号：IPS03N03LB G-ND
  别名：IPS03N03LBGX
  SP000220141
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5200pF @ 15V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 115W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS04N03LB G
  仓库库存编号：IPS04N03LB G-ND
  别名：IPS04N03LBGX
  SP000219859
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5200pF @ 15V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 115W（Tc） P-TO251-3
  
  型号：IPU04N03LB G
  仓库库存编号：IPU04N03LB G-ND
  别名：IPU04N03LBGX
  SP000220463
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5200pF @ 15V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 115W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD03N03LB G
  仓库库存编号：IPD03N03LBGINCT-ND
  别名：IPD03N03LBG
  IPD03N03LBGINCT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5200pF @ 15V,
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