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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 33V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
STP75NS04Z
仓库库存编号:
497-5981-5-ND
别名:497-5981-5
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1860pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 2000V 3A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 520W(Tc) TO-247
型号:
IXTH3N200P3HV
仓库库存编号:
IXTH3N200P3HV-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1860pF @ 25V,
不受无铅要求限制
搜索
IXYS
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 520W(Tc) TO-268
型号:
IXTT3N200P3HV
仓库库存编号:
IXTT3N200P3HV-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1860pF @ 25V,
不受无铅要求限制
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 120V 32A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 120V 32A(Tc) 50W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF32N12V2
仓库库存编号:
FQPF32N12V2-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1860pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 120V 32A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 120V 32A(Tc) 150W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP32N12V2
仓库库存编号:
FQP32N12V2-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1860pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 120V 32A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 120V 32A(Tc) 3.75W(Ta),150W(Tc) I2PAK
型号:
FQI32N12V2TU
仓库库存编号:
FQI32N12V2TU-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1860pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 120V 32A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120V 32A(Tc) 3.75W(Ta),150W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB32N12V2TM
仓库库存编号:
FQB32N12V2TM-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1860pF @ 25V,
无铅
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