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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 50A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），50A（Tc） 3.2W（Ta），75W（Tc） 8-SON（5x6）
  
  型号：CSD18537NQ5A
  仓库库存编号：296-36455-1-ND
  别名：296-36455-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1480pF @ 30V,
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  含铅
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 50A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 3.2W（Ta），75W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD18537NQ5AT
  仓库库存编号：296-37747-1-ND
  别名：296-37747-1
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1480pF @ 30V,
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  含铅
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 94W（Tc） TO-220-3
  
  型号：CSD18537NKCS
  仓库库存编号：296-36456-5-ND
  别名：296-36456-5
  CSD18537NKCS-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1480pF @ 30V,
• 含铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.6A（Ta），18A（Tc） 930mW（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMN6069SFG-7
  仓库库存编号：DMN6069SFG-7DICT-ND
  别名：DMN6069SFG-7DICT
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1480pF @ 30V,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 2.4W PowerDI3333-8
  
  型号：DMN6069SFGQ-13
  仓库库存编号：DMN6069SFGQ-13-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1480pF @ 30V,
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• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 2.4W PowerDI3333-8
  
  型号：DMN6069SFGQ-7
  仓库库存编号：DMN6069SFGQ-7-ND
  
  规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1480pF @ 30V,
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