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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 4.3A SSOT-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.3A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC5612
仓库库存编号:
FDC5612CT-ND
别名:FDC5612CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 60V 4.5A, 3.5A 1W Surface Mount 8-SO
型号:
FDS4559
仓库库存编号:
FDS4559CT-ND
别名:FDS4559CT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta) 1.3W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML6344TRPBF
仓库库存编号:
IRLML6344TRPBFCT-ND
别名:IRLML6344TRPBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 18A(Tc) 57W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR5505TRPBF
仓库库存编号:
IRFR5505PBFCT-ND
别名:*IRFR5505TRPBF
IRFR5505PBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.5A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7313TRPBF
仓库库存编号:
IRF7313PBFCT-ND
别名:*IRF7313TRPBF
IRF7313PBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7319TRPBF
仓库库存编号:
IRF7319PBFCT-ND
别名:*IRF7319TRPBF
IRF7319PBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 18A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 18A(Tc) 57W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU5505PBF
仓库库存编号:
IRFU5505PBF-ND
别名:*IRFU5505PBF
SP001557786
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 19A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 19A(Tc) 56W(Tc) D2PAK
型号:
PHB21N06LT,118
仓库库存编号:
1727-4762-1-ND
别名:1727-4762-1
568-5939-1
568-5939-1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 40W(Tc) D-Pak
型号:
FDD5N50UTM_WS
仓库库存编号:
FDD5N50UTM_WSCT-ND
别名:FDD5N50UTM_WSCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.5W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7389TRPBF
仓库库存编号:
IRF7389PBFCT-ND
别名:*IRF7389TRPBF
IRF7389PBFCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 9A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 50W(Tc) TO-220FM
型号:
R5009ANX
仓库库存编号:
R5009ANX-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V TO-220F-3
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 28W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF5N50UT
仓库库存编号:
FDPF5N50UT-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.5A(Tc) 8.3W(Tc) SOT-223
型号:
BUK9880-55/CUF
仓库库存编号:
1727-2229-1-ND
别名:1727-2229-1
568-12497-1
568-12497-1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.5A(Tc) 40W(Tc) D-Pak
型号:
FDD5N50FTM_WS
仓库库存编号:
FDD5N50FTM_WSCT-ND
别名:FDD5N50FTM_WSCT
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 9A LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta) 50W(Tc) LPTS
型号:
R5009ANJTL
仓库库存编号:
R5009ANJTL-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 18A(Tc) 57W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR5505TRL
仓库库存编号:
AUIRFR5505TRL-ND
别名:SP001519572
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.5A, 4.9A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
AUIRF7319QTR
仓库库存编号:
AUIRF7319QTR-ND
别名:SP001520168
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 3.5A(Ta) 1.8W(Ta),8.3W(Tc) SOT-223
型号:
PHT8N06LT,135
仓库库存编号:
568-7369-1-ND
别名:568-7369-1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 3.5A(Tc) 40W(Tc) D-Pak
型号:
FDD5N50FTF_WS
仓库库存编号:
FDD5N50FTF_WS-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 3A(Tc) 40W(Tc) D-Pak
型号:
FDD5N50UTF_WS
仓库库存编号:
FDD5N50UTF_WS-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 7.5A(Tc) 8.3W(Tc) SOT-223
型号:
BUK9880-55,135
仓库库存编号:
568-12236-1-ND
别名:568-11880-1
568-11880-1-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6.5A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7353D1
仓库库存编号:
IRF7353D1-ND
别名:*IRF7353D1
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6.5A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7353D1TR
仓库库存编号:
IRF7353D1TR-ND
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.5W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7389
仓库库存编号:
IRF7389-ND
别名:*IRF7389
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 18A(Tc) 57W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR5505
仓库库存编号:
IRFR5505-ND
别名:*IRFR5505
SP001573284
规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V,
含铅
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